- 靳常青
- 研究员
靳常青 简介
简介
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1991年中国科学院物理研究所获理学博士学位，1991年8月起在中国科学院物理所工作，1997年荣获基金委杰出青年基金资助；1998年破格晋升中国科学院物理所研究员（2009年2级），并任博士生导师及学术方向负责人，曾在日本、美国和芬兰等国家和地区从事访问研究。
现任国际晶体学联合会(IUCr)材料晶体学委员会主席、第26届国际高压科学技术大会组委会主席、国际高压科学技术联合促进会(AIRAPT)执委会委员、中国科协先进材料联合体专家委员会委员（第1届）、中国晶体学会副理事长兼极端条件材料专业委员会主任、中国物理学会理事兼高压物理专业委员会副主任、Scientific Reports(Nature Publishing Group) 编委等国际国内学术兼职。详请访问团队主页
http://uhp.iphy.ac.cn
主要研究方向
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新型量子演生(emergent)材料设计和超常条件研制；
奇异量子有序现象及多元调控；
高能量密度物质及金属化和宏观量子凝聚现象
过去的主要工作及获得的成果
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主要开展新型量子演生(emergent)材料和高能量密度物质的设计研制及调控规律研究，作为主要研究人和合作者共同发现了序列磁电功能材料新体系和近百种高压新物质，包括铁基超导主要体系之一的“111”体系、自旋电荷注入机制分离的新1代稀磁化合物、首个压力诱导的拓扑化合物超导、Cu12(n-1)n超导体系、顶角氧掺杂型铜基超导体系、掺杂子有序调控的铜基超导体系、多铁性新材料、Ru基巡游磁性新体系等。
发现的自旋电荷掺杂分离的新1代稀磁半导体BZA入选IEEE在2016年发布的“面向自旋电子应用的演生材料路线图”，BZA与(Ga,Mn)As并列2个关键的稀磁半导体里程碑材料体系，BZA因有望实现“Science'125个著名科学问题之一的室温稀磁半导体而被推荐为在2030年前优先发展的稀磁半导体材料。领导组建了我国第1台基于金刚石压砧的超高压(300G)、低温(1.5K)、强磁场(9T)综合实验装置（2001）、研制集成了我国第1台紧装式6～8二级推进型合成装置（2011）、设计组建了具有国际先进水平的笼型水合物研制及在位谱学表征联合实验系统（2013）等多项量子演生和高能量密度物质先进合成和表征技术的研发。授权发明专利23项。在含Nature + Nature Physics + Nature Communications (13篇）、PNAS(6篇)、JACS及Angew Chem Int和PRL(X) (16篇)等期刊发表SCI论文200余篇，多篇文章入选封面亮点，受邀国际会议大会\主题\邀请报告80多个。
荣获国家自然科学2等奖（第1完成人）、中国材料研究学会科学技术1等奖（第1完成人）、中国物理学会叶企孙奖、中国科学院杰出科技成就集体奖（主要贡献者）等奖项；当选美国物理学会会士（APS Fellow）、英国物理学会会士(FInstP)；荣获百人计划资助、百千万人才工程国家级人选、国家有突出贡献中青年专家、享受国务院特殊津贴、中国百篇最具国际影响论文、中国科学院物理研究所优秀教师奖、国际衍射数据中心杰出贡献奖、日本超导国际中心奖、Elsevier高引文奖等荣誉；入选中国科学院创新研究团队；连续入选Elsevier中国高被引学者榜单。
