• 姓      名:    张建军
• 职      务:   
• 职      称:    研究员
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张建军 简介

简介

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男，博士生导师，N09组课题组长。1997-2004年湘潭大学物理系本科、硕士，2005-2010年德国马普固体研究所和奥地利约翰开普勒大学联合培养博士生并获博士学位，2010-2012年德国莱布尼兹固体和材料研究所从事博士后研究，2013-2014年澳大利亚量子计算和通讯技术卓越中心(Vice-Chancellor\'s Postdoctoral Fellow)独立开展原子尺度半导体器件的研究，2014年回物理所，2016年末成立N09-半导体量子材料与器件课题组。

主要研究方向

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半导体量子材料的外延生长、结构表征和器件研究

过去的主要工作及获得的成果

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1. 发现了以Stranski-Krastanov (S-K) 生长模式在硅衬底上大规模生长锗纳米线的新方法，在零维量子点被发现22年之后把它推广到了一维纳米线 (PRL 109, 085502 (2012))。美国物理学会网站同期以题为 “Self-Elongating Nanowires” 对该工作进行了报道，现代物理评论文章对该工作进行了整段评述。这种超小 (高度仅3个晶胞) 且均匀的锗纳米线为研究新奇的量子输运现象及构造硅基纳米器件开辟了一个全新的途径。 2. 发现了图形衬底上有序量子点形貌及成分的周期性震荡行为 (PRL 105, 166102 (2010))；利用锗硅量子点，巧妙设计获得了有序的硅量子点分子（APL 96, 193101 (2010)，期刊封面）；和IBM的J. Tersoff及米兰的科学家一起发现了图形衬底的反常变平滑行为 (PRL 109, 156101, (2012))。 3. 硅应变工程。通过巧妙设计和合理优化，使硅沟道中的张应力（提高电子迁移率）和压应力(提高空穴迁移率)分别达到了1.5%和0.8%。和代尔夫特理工大学等单位的同事，共同发明了用锗硅量子点构造应变硅来提高电子迁移率的晶体管 (IEEE Electron Device Letters 31, 1083(2010))。