赵妙

中国科学院微电子研究所

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  • 赵妙
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

1997.9-2001.6,河北师范大学,本科,物理

2001.9-2004.6,广西大学,硕士,材料物理

2004.9-2007.6,中国科学院半导体研究所,博士,固体电子与微电子

工作简历

2007.7至今,中国科学院微电子研究所,副研究员

社会任职: 研究方向:微波器件与电路可靠性 承担科研项目情况:

1、AlGaN/GaN HEMT 低频噪声与器件可靠性相关性的研究,国家自然基金 青年科学基金项目,2012.1-2014.12 28万 项目负责人

2、AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究,国家自然基金 面上项目 2010.1-2012.12 31万 主要负责

3、X波段宽禁带半导体功率器件和材料研究,中国科学院知识创新工程重要方向性项目,2007.主要成员

4、GaN基毫米波功率器件与材料基础与关键技术研究,国家自然基金 重大项目 成员

5、新一代化合物半导体电子器件与电路研究子课题“AlGaN/GaN微波功率器件” 973成员

代表论著:

1、Miao Zhao, Liu Xinyu, etal., Thermal storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors,IEEE transaction on device and material reliability, 10 (2010), P 360-365。

2、Miao Zhao, M.Q.Tan, etal., The effect of proton radiation on a superluminescent diode (SLD),Nuclear Inst. And Methods in Physics Research, B, 260, 2007: 623-627.

3、赵妙,刘新宇,等,GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究, 第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议,2008:697-699

4、赵妙,谭满清,等,双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究,光电子·激光,18(2007)40-42

5、赵妙,谭满清,质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响,半导体学报,27(2006)1586-89

6、Wang Xin-Hua,Zhao Miao,Liu Xin-Yu,The physical process analysis of capacitance-voltage characteristics for AlGaN-AlN-GaN HEMTs, Chinese physics B, 19 (2010).

7、Wang Xinhua, Zhao Miao, Liu Xinyu, etal. A revised approach to schottky parameters extraction for GaN HEMT after elevated temperature aging,Journal of semiconductors,2010,31(7), P074005

8、Zhaomiao,Liu xinyu,Zheng Yingkui,etal,IEEE 19th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2012)

专利申请:

1、赵妙,等,一种提高肖特基势垒高度的方法,申请号:200910303939.4, 09.07.02

2、赵妙,等,已减薄或划片的氮化镓场效应管的退火处理方法,200910307846.9,09.09.28

3、赵妙,等,一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法,200910241685.8,2009.12.02

4、赵妙,刘新宇,等,一种检测GaN器件肖特基漏电模式的方法,201010217186.8,2010.7.6

5、赵妙,等,一种通过肖特基测试图形监测GaN基HEMT可靠性的方法,201010241994.8 2010.8.3

6、赵妙,刘新宇,等,一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法,201010233999.6,2010.7.22

7、赵妙,等,确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法,201110163890.4,2011.6.17

8、赵妙,等,对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法,201110236597.6,2011.8.17

9、赵妙,等,一种测量GaN基器件热可靠性的方法,201110236600.4,2011.8.17

10、赵妙,等,确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法,201210238641.1,2012.7.10

11、赵妙,等,一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法,201210239703.0,2012.7.10

12、赵妙,等,双沟道晶体管及其制备方法,201210335697.9,2012.9.11

13、赵妙,刘新宇,郑英奎,李艳奎等,GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法,201410005195.9, 2014.1.6

14、赵妙,刘新宇,魏珂,李艳奎等,一种GaN基半导体器件欧姆接触可靠性的评价方法,201410005400.1, 2014.1.6

15、赵妙,刘新宇,郑英奎,李艳奎等 一种检测器件肖特基漏电模式的方法,201010217186.8, 2013.7.3

16、赵妙,刘新宇,郑英奎,魏珂,李艳奎等,一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法,201010233999.6, 2013.8.14

获奖及荣誉:

Zhaomiao,Liu Xinyu,IEEE 16th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2009) Photo