周华杰

中国科学院微电子研究所

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  • 周华杰
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历:

教育背景

1997.9-2001.7 山东大学 电子工程系 获学士学位

2003.9-2009.7 中国科学院微电子研究所 获博士学位

工作简历

2009.7-至今 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心

社会任职: 研究方向:新结构MOSFET器件、高K栅介质材料与金属栅电极方面研究 承担科研项目情况:

国家自然科学基金:“亚50纳米金属栅体硅多栅CMOS器件及关键技术研究”;

所长基金:“全硅化金属栅体硅多栅CMOS器件研究” ;

973课题:“新一代集成技术基础问题研究”;

国家02科技重大专项项目“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”:06课题“工艺整合与集成技术” ;07课题“先导工艺技术开放平台”。

代表论著:

1、 周华杰,徐秋霞,”Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究”,物理学报,2011,第60卷,第10期,108102

2、 Y. Song, H. Zhou, Q. Xu, J. Luo, C. Zhao and Q, Liang,”High Performance N- and P-Type Gate-All-Around Nanowire MOSFETs Fabricated on Bulk Si by CMOS-Compatible Process” , 69th Device Research Conference, 20-22 June ,2011,pp.83 – 84

3、 Yi Song, Huajie Zhou, Qiuxia Xu, Huajie Zhou, Jiebin Niu, Jiang Yan, Chao Zhao and Huizhong Cai, 'High Performance Silicon Nanowire Gate-all-around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-compatible Process,' IEEE Electron Device Letters, vol. 31, no. 12, 2010, pp. 1377-1379

4、 Huajie Zhou, Qiuxia Xu,”Modulate Work Function of Ni-FUSI metal gate by implanting Yb”, 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008,P1272-1275

专利申请:

已申请国内外发明专利20余项。

获奖及荣誉: