• 姓      名:    周华杰
• 职      务:   
• 职      称:    副研究员
• 通讯地址:    北京市朝阳区北土城西路3号

教育背景

1997.9－2001.7 山东大学 电子工程系 获学士学位

2003.9－2009.7 中国科学院微电子研究所 获博士学位

工作简历

2009.7-至今 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心

国家自然科学基金：“亚50纳米金属栅体硅多栅CMOS器件及关键技术研究”；

所长基金：“全硅化金属栅体硅多栅CMOS器件研究” ；

973课题：“新一代集成技术基础问题研究”；

国家02科技重大专项项目“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”：06课题“工艺整合与集成技术” ；07课题“先导工艺技术开放平台”。

1、 周华杰，徐秋霞,”Ni全硅化金属栅功函数调节技术研究”,物理学报，2011,第60卷，第10期，108102

2、 Y. Song, H. Zhou, Q. Xu, J. Luo, C. Zhao and Q, Liang,”High Performance N- and P-Type Gate-All-Around Nanowire MOSFETs Fabricated on Bulk Si by CMOS-Compatible Process” , 69th Device Research Conference, 20-22 June ，2011，pp.83 – 84

3、 Yi Song, Huajie Zhou, Qiuxia Xu, Huajie Zhou, Jiebin Niu, Jiang Yan, Chao Zhao and Huizhong Cai, 'High Performance Silicon Nanowire Gate-all-around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-compatible Process,' IEEE Electron Device Letters, vol. 31, no. 12, 2010, pp. 1377-1379

4、 Huajie Zhou, Qiuxia Xu,”Modulate Work Function of Ni-FUSI metal gate by implanting Yb”, 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008，P1272-1275

已申请国内外发明专利20余项。