杨诗洋

中国科学院微电子研究所

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  • 杨诗洋
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

2007.09—2009.06 华中科技大学,电子科学与技术系,微电子学与固体电子学专业,工学硕士

2003.09—2007.06 华中科技大学, 电子科学与技术系,电子科学与技术专业,工学学士

工作简历

2014.10至今 中国科学院微电子研究所,中科新芯三维存储器研发中心,副研究员

2009.07—2014.09 中国科学院微电子研究所,中国科学院EDA中心,助理研究员

社会任职: 研究方向:新型存储器芯片,数模混合集成电路设计 承担科研项目情况:

1. 高性能三维存储器芯片开发(产业合作项目)

2. 非易失性存储集成产品服务平台的建立(国家重大专项2009ZX02302-006)

3. 存储器IP核定制设计平台(国家重大专项2013ZX03001008-003)

4. 商用嵌入式闪存IP系列产品开发

代表论著: 专利申请:

1. 一种字线偏置电路, 发明专利, 公告号:CN102420007B

2. 一种电流模灵敏放大器及具有该灵敏放大器的存储器, 发明专利, 公告号:CN102420005B

3. 一种读取时序控制电路, 发明专利, 公告号:CN102496389B

4. 一种位线选通装置, 发明专利, 公告号:CN103137179B

5. 高电压开关电路, 发明专利, 公告号:CN102437843B

6. 一种负载偏置电路, 发明专利, 公告号:CN102419612B

7. 一种双路输出电荷泵电路, 发明专利, 公告号:CN102510212B

8. 一种存储阵列单元信息读取方法及系统, 发明专利, 公告号:CN102426852B

9. 读取时序产生电路, 发明专利, 公告号:CN102426851B

10. READ TIMING GENERATION CIRCUIT, 发明专利, 公告号:US9047935B2

获奖及荣誉: