- 杨诗洋
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2007.09—2009.06 华中科技大学，电子科学与技术系，微电子学与固体电子学专业，工学硕士
2003.09—2007.06 华中科技大学, 电子科学与技术系,电子科学与技术专业，工学学士
工作简历
2014.10至今 中国科学院微电子研究所，中科新芯三维存储器研发中心，副研究员
2009.07—2014.09 中国科学院微电子研究所，中国科学院EDA中心，助理研究员
社会任职： 研究方向：新型存储器芯片，数模混合集成电路设计 承担科研项目情况：
1. 高性能三维存储器芯片开发（产业合作项目）
2. 非易失性存储集成产品服务平台的建立（国家重大专项2009ZX02302-006）
3. 存储器IP核定制设计平台（国家重大专项2013ZX03001008-003）
4. 商用嵌入式闪存IP系列产品开发
代表论著： 专利申请：
1. 一种字线偏置电路, 发明专利, 公告号：CN102420007B
2. 一种电流模灵敏放大器及具有该灵敏放大器的存储器, 发明专利, 公告号：CN102420005B
3. 一种读取时序控制电路, 发明专利, 公告号：CN102496389B
4. 一种位线选通装置, 发明专利, 公告号：CN103137179B
5. 高电压开关电路, 发明专利, 公告号：CN102437843B
6. 一种负载偏置电路, 发明专利, 公告号：CN102419612B
7. 一种双路输出电荷泵电路, 发明专利, 公告号：CN102510212B
8. 一种存储阵列单元信息读取方法及系统, 发明专利, 公告号：CN102426852B
9. 读取时序产生电路, 发明专利, 公告号：CN102426851B
10. READ TIMING GENERATION CIRCUIT, 发明专利, 公告号：US9047935B2
获奖及荣誉：
