许高博

中国科学院微电子研究所

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  • 许高博
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

1998.9 -2002.7 山东大学 信息科学与工程学院 学士

2003.9 -2009.7 中国科学院微电子研究所 博士

工作简历

2009.7 –至今 中国科学院微电子研究所

社会任职: 研究方向:高k栅介质/金属栅技术 承担科研项目情况: 代表论著:

1. Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Thermal stability of HfON, HfSiON and HfTaON gate dielectrics, 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology Proceedings, 2008, 1284-1287

2. Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Characteristics of high-quality HfSiON gate dielectric prepared by physical vapor deposition, Chinese Physics B, 2009, 18 (2): 768-772

3. Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Thermal stability of HfTaON films prepared by physical vapor deposition, Journal of Semiconductors, 2009, 30 (2): 023002

4. Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Characteristics of HfSiAlON Gate Dielectric Prepared by Physical Vapor Deposition, ECS Transactions, 2011, 34 (1) : 495-501

专利申请: 获奖及荣誉: