吴克辉

中国科学院物理研究所

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  • 吴克辉
  • 研究员

吴克辉 简介

简介

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男,1973年10月生。1995年浙江大学物理系毕业。2000年在中国科学院物理所获得博士学位。2000年到2004年在日本东北大学金属材料研究所任博士后及助理教授。2004年10月回国,任物理所表面室9组课题组长。曾获中国科学院“杰出科技成就奖”、基金委“国家杰青” 等荣誉。

主要研究方向

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低维量子材料的分子束外延(MBE),基于扫描隧道显微镜/扫描隧道谱(STM/STS)的物性分析与调控研究。

过去的主要工作及获得的成果

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1)利用MBE获得高质量Bi2Se3拓扑绝缘体单晶薄膜;发明了以高介电常数钛酸锶(STO)为衬底生长Bi2Se3;实现对拓扑绝缘体输运的电场调控。

2)首先在实验上实现硅烯、硼烯2种有重要影响的新型二维原子晶体;并揭示硅烯的Dirac电子态、结构和电子相变等量子效应。

3)自主研发低温STM系统并实现首台国产商品化低温STM系统。利用STM针尖增强Raman(TERS)光谱实现二维材料的局域振动特征研究。

发表SCI论文120多篇,SCI总引用超过5000次(google scholar >6200次)。曾获北京市科技奖一等奖(2009)、中国科学院杰出科技成就奖(集体奖,突出贡献者,

2011

),国家杰出青年基金获得者(2018),科技部中青年创新领军人才(2018),中组部科技创新领军人才(2019).

代表性论文及专利

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1. Rise of silicene: A competitive 2D material

Jijun Zhao, Hongsheng Liu, Zhiming Yu, Ruge Quhe, Si Zhou, Yangyang Wang, Cheng Cheng Liu, Hongxia Zhong, Nannan Han, Jing Lu, Yugui Yao and Kehui Wu

Progress in Materials Science