- 王鑫华
- 高频高压中心主任/团委副书/天津市滨海新区微电子研究院常务副院长
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2003.9—2007.7 南京理工大学 电子科学与技术 学士学位
2007.9—2012.7 中国科学院微电子研究所 微电子与固体电子学 博士学位
工作简历
2012.7—2017.4 中国科学院微电子研究所 助理研究员，所团委委员
2017.4—2017.5 中国科学院微电子研究所 副研究员，所团委委员
2017.5—2018.12 中国科学院微电子研究所 副研究员，所团委副书记
2018.12—2019.5 中国科学院微电子研究所 副研究员，高频高压中心副主任，所团委副书记
2019.6—至今 中国科学院微电子研究所 副研究员，高频高压中心副主任，所团委副书记
天津市滨海新区微电子研究院 常务副院长（兼）
社会任职：
中国科学院青年创新促进会会员，国际电子器件权威期刊IEEE T-ED, T-PEL, T-IE及电子材料领域期刊ACS AEM等审稿人
研究方向：
III族氮化物微波功率器件研制及器件物理研究
承担科研项目情况：
1. 中国科学院青年创新促进会会员项目；
2. 国家外国专家局“创新人才培训计划”短期项目
3. 中国科学院科技服务网络（STS）区域重点项目，“硅基氮化镓增强型电力电子核心器件与产业化”项目，项目负责人；
4. 国家重大科研仪器研制项目，“新型GaN电子器件低界面态介质生长系统”项目，子课题负责人；
5. 国家自然科学基金青年项目，“兼容CMOS工艺的Ga2O3辅助GaN-to-Si异质键合技术及机理研究”项目，项目负责人；
6. 国家自然科学基金重点项目，“宽频段全数字发信机设计理论与关键技术”项目，子课题负责人；
7. 上市公司研发中心委托技术研发项目，项目负责人；
代表论著：
[1] Xinyu Liu+, Xinhua Wang+,*, et al. “Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,” ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018，10(25), pp. 21721–21729.
[2] Xinhua Wang, et al. Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer. IEEE Electron Device Letter, 2015, 36(7), p.666
[3] Xinhua Wang, et al. Comparative Study of AlGaN/GaN HEMTs with LPCVD- and PECVD-SiNx Passivation. International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing technology. May 18th-21st, 2015, Scottsdale, Arizona, USA
[4] Wang Xinhua, et al. Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN/GaN Buffer. IEEE Transaction on Electron Device. 2014, 61(5),p. 1341
[5] Wang Xin-Hua，et al. The physical process analysis of the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors. Chinese physics B, 2010,19(9):097302
专利申请：
1. US 14/821,203，Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same
2. US 15/060，406，Low Damage Etching Method for III-nitride
3. US 15/333，674，SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
获奖及荣誉：
2012年中国科学院院长优秀奖
2015年度微电子研究所十佳先进工作者
