- 孙宝刚
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历： 社会任职： 研究方向： 承担科研项目情况： 代表论著：
1. 邵红旭，孙宝刚，韩郑生，“0.1mm SOI槽栅CMOS器件特性仿真”，电子工业专用设备，2005年第一期，已发表；
2. 邵红旭，吴俊峰，韩郑生，孙宝刚，“硅膜厚度对0.1mm SOI槽栅NMOS器件特性的影响”，微电子学与计算机，已发表；
3.邵红旭，孙宝刚，吴俊峰，钟兴华, “Study on the Characteristics of 0.1mm SOI Grooved gate pMOSFET”，半导体学报，已发表；
4. 程 超，海潮和，孙宝刚，“0.5μm高速BiCMOS的工艺研究”，微电子学与计算机，已发表；
5. 程 超，海潮和，孙宝刚，“高速双极晶体管工艺条件的优化研究”，微电子学，已发表。
专利申请： 获奖及荣誉：
