孙宝刚

中国科学院微电子研究所

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  • 孙宝刚
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历: 社会任职: 研究方向: 承担科研项目情况: 代表论著:

1. 邵红旭,孙宝刚,韩郑生,“0.1mm SOI槽栅CMOS器件特性仿真”,电子工业专用设备,2005年第一期,已发表;

2. 邵红旭,吴俊峰,韩郑生,孙宝刚,“硅膜厚度对0.1mm SOI槽栅NMOS器件特性的影响”,微电子学与计算机,已发表;

3.邵红旭,孙宝刚,吴俊峰,钟兴华, “Study on the Characteristics of 0.1mm SOI Grooved gate pMOSFET”,半导体学报,已发表;

4. 程 超,海潮和,孙宝刚,“0.5μm高速BiCMOS的工艺研究”,微电子学与计算机,已发表;

5. 程 超,海潮和,孙宝刚,“高速双极晶体管工艺条件的优化研究”,微电子学,已发表。

专利申请: 获奖及荣誉: