王林飞

中国科学院微电子研究所

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  • 王林飞
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

2014.09~2019.06,中国科学院微电子研究所电子与信息专业,博士;

2007.09~2009.06,天津大学微电子学与固体电子学专业,硕士;

2003.09~2007.06,河北理工大学电子科学与技术专业,学士;

工作简历

2018.04~至今,中国科学院微电子研究所,副研究员;

2011.10~2018.03,中国科学院微电子研究所,助理研究员;

2009.07~2011.09,中国科学院微电子研究,研究实习员;

社会任职: 研究方向:

高可靠集成电路设计,集成电路可靠性技术研究

承担科研项目情况:

作为技术骨干先后参与多项国家科技重大专项子课题;

作为技术负责人承担中国科学院多项科研任务。

代表论著:

[1] Linfei Wang,Hainan Liu,Likun Chen,Yuelin Zhou,Hongyuan Zhang,Jiantou Gao,Fazhan Zhao,Jiajun Luo,Fang Yu, Zhengsheng Han,Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM,Proceedings of ICSICT2016.1506-1508.

[2]卜建辉,许高博,李多力,蔡小五,王林飞,韩郑生,罗家俊,一种新型隧穿晶体管,半导体技术,vol.44,2019.03,185-188.

专利申请:

[1]王林飞,罗家俊,韩郑生等,一种电路仿真方法及装置,中国发明专利,专利号:201610466018.X

[2]王林飞,刘海南,罗家俊等,一种集成芯片的制作方法,中国发明专利,专利号:201610826177.6

[3]王林飞,韩郑生,刘海南等,存储器验证电路以及验证方法,中国发明专利,专利号:201910263759.1

获奖及荣誉:

2012年度中国科学院微电子研究所优秀员工

2016年度中国科学院微电子研究所荣誉奖学金

2017年度中国科学院大学三好学生