- 王林飞
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2014.09~2019.06，中国科学院微电子研究所电子与信息专业，博士；
2007.09~2009.06，天津大学微电子学与固体电子学专业，硕士；
2003.09~2007.06，河北理工大学电子科学与技术专业，学士；
工作简历
2018.04~至今，中国科学院微电子研究所，副研究员；
2011.10~2018.03，中国科学院微电子研究所，助理研究员；
2009.07~2011.09，中国科学院微电子研究，研究实习员；
社会任职： 研究方向：
高可靠集成电路设计，集成电路可靠性技术研究
承担科研项目情况：
作为技术骨干先后参与多项国家科技重大专项子课题；
作为技术负责人承担中国科学院多项科研任务。
代表论著：
[1] Linfei Wang,Hainan Liu,Likun Chen,Yuelin Zhou,Hongyuan Zhang,Jiantou Gao,Fazhan Zhao,Jiajun Luo,Fang Yu, Zhengsheng Han,Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM,Proceedings of ICSICT2016.1506-1508.
[2]卜建辉，许高博，李多力，蔡小五，王林飞，韩郑生，罗家俊，一种新型隧穿晶体管，半导体技术，vol.44,2019.03,185-188.
专利申请：
[1]王林飞，罗家俊，韩郑生等，一种电路仿真方法及装置，中国发明专利，专利号：201610466018.X
[2]王林飞，刘海南，罗家俊等，一种集成芯片的制作方法，中国发明专利，专利号：201610826177.6
[3]王林飞，韩郑生，刘海南等，存储器验证电路以及验证方法，中国发明专利，专利号：201910263759.1
获奖及荣誉：
2012年度中国科学院微电子研究所优秀员工
2016年度中国科学院微电子研究所荣誉奖学金
2017年度中国科学院大学三好学生
