陆江

中国科学院微电子研究所

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  • 陆江
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

2009~2013年,中国科学院大学,微电子与固体电子学专业,博士

2001~2004年,兰州大学,物理科学与技术学院,微电子与固体电子学专业,硕士

1997~2001年,兰州大学,物理科学与技术学院,微电子与固体电子学专业,学士

工作简历

2010年至今,中国科学院微电子研究所 副研究员

2014.8-2015.8:美国伊利诺伊理工大学(IIT) 访问学者

2004-2010:中国科学院微电子研究所 助理研究员

社会任职: 研究方向:

硅基功率器件、宽禁带SiC功率器件的可靠性设计及优化研究、功率半导体器件测试分析;硅基霍尔集成电路传感器设计

承担科研项目情况:

主持国家自然科学基金青年科学基金项目1项;作为科研骨干参与国家重大02专项IGBT产品开发项目、高可靠功率VDMOS器件十余款产品开发项目;负责规划并组建了功率半导体器件全参数测试分析平台。

硅基霍尔传感器系列产品研制项目设计负责人,完成设计开发10多款霍尔传感器产品并投放市场应用,累积实现8000万只霍尔传感器管芯供货,实现横向销售2000余万元。

代表论著:

1) Jiang Lu*, Hainan Liu, Xiaowu Cai, et al. Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source. J. Semiconductor, 2018, 39(3): 034003.

2) Qiao Qun Yu, Jiang Lu*, Hainan Liu, et al. Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance. Chin. Phys. B, 2017, 26(3):038502.

3) Jiang Lu*, Hainan Liu, Jiajun Luo, et al.,'Improved single-event hardness of trench power MOSFET with a widened split gate,' in 2016 16th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2016, pp. 1-5.

4) Jiang Lu*, Hainan, Liu, Jiajun, Luo, et al. 'Study of RBSOA reliability of nanoscale Partially Narrow Mesa IGBT (PNM-IGBT),' in 2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2016, pp. 1077-1079.

5) Lu Jiang, Tian Xiaoli, Lu Shuojin, et al. Dynamic avalanche behavior of power MOSFETs and IGBTs under unclamped inductive switching conditions. Journal of Semiconductors, 2013.

6) Tian Xiaoli, Lu Jiang, Teng Yuan, et al. Backside optimization for improving avalanche breakdown behavior of 4.5kV IGBT. Journal of Semiconductors, 2015

7) Tian Xiaoli, Chu Weili, Lu Jiang, et al. A novel optimization design for 3.3kV injection-enhanced gate transistor. Journal of Semiconductors, 2014

8) 杨尊松, 王立新, 肖超, 宋李梅, 罗小梦, 李彬鸿, 陆江, 孙博韬. MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究. 微电子学,2017,47(2)

9) 杨尊松, 王立新, 肖超, 陆江, 李彬鸿. 瞬态电压抑制二极管的概述和展望.电子设计工程,2016.

10) 刘文啟,朱阳军,陆江. 低功耗霍尔电压放大器.传感器世界, 2012

11) 喻巧群,陆江,田晓丽等. IGBT器件的短路特性优化设计研究. 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会论文集.

12) 张浩,王立新,陆江等.基于功率MOS线性高压放大器设计.现代电子技术,2010

13) 陆江,王立新. BiCMOS霍尔传感器技术及应用原理.传感器世界, 2008

14) 王立新,廖太仪,陆江.低压条形栅功率场效应晶体管的研制.半导体学报,2006

15) 陆江,一种线性霍尔效应传感器的电路改进;2005第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

出版译著:

1) 韩郑生,陆江等,功率半导体器件基础 (译著),电子工业出版社,1095千字,2013.02

专利申请:

1) 陆江等;一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 授权公告号:CN207993870U

2) 陆江等;一种绝缘栅双极晶体管 授权公告号:CN207624704U

3) 陆江等;一种霍尔基片结构及霍尔传感器 授权公告号:CN207624732U

4) 陆江等;用于TO-3封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号:CN204389541U

5) 陆江等;适用于LCC-18封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号:CN204347072U

6) 陆江等;三管腿通孔封装功率器件在雪崩耐量实验中的连接装置 授权公告号:CN204303799U

7) 陆江等;三单元130毫米功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号:CN203069689U

8) 陆江等;34毫米半桥连接功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号:CN203025260U

9) 陆江等;两单元62毫米功率器件模块动态特性的测试装置 授权公告号:CN203025321U

10) 陆江等;一种功率半导体器件结电容测试装置 授权公告号:CN202141762U

11) 陆江等;一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN108155229A

12) 陆江等;一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN108122964A

13) 陆江等;一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 申请公布号:CN108122990A

14) 陆江;一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN106783946A

15) 陆江;一种槽型栅功率场效应晶体管 申请公布号:CN106505099A

16) 陆江;一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN106409887A

17) 陆江; 一种绝缘栅双极晶体管 申请公布号:CN106409899A

获奖及荣誉:2010年获得中国科学院微电子研究所“先进工作者”(十佳)称号