彭松昂

中国科学院微电子研究所

浏览次数

15

收藏次数

0

接洽次数

0

  • 彭松昂
  • 副研究员

简 历:

教育背景

2010.9-2015.6,中国科学院大学研究生院,微电子学与固体电子学,博士

2006.9-2010.6,河南大学,物理学,学士

工作简历

2018.3-至今,中国科学院微电子研究所,副研究员

2015.7-2018.3,中国科学院微电子研究所,助理研究员

社会任职: 研究方向:二维材料电子器件与电路 承担科研项目情况:

国家自然科学基金青年基金项目(61704189):基于石墨烯异质结构的二维过渡金属硫化物器件界面物性调控研究(2017-2019)

中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题“石墨烯与金属及金属氧化物的界面调控和机理研究”(2015-2016)

代表论著:

1、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?”, Adv. Electron. Mater, 2018, 4 (8).

2、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor”, ACS. Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9 (8), pp 6661–6665.

3、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Evidence of electric field tunable tunneling probability in graphene and metal contact”, Nanoscale. 2017,9 (27), 9520-9528.

4、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Effect of source-gate spacing on dc and rf characteristic of graphene field effect transistor”, Appl. Phys. Lett. 106(2015) 022504.

5、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity”, Carbon. 82 (2015) pp.500-505.

6、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation”, Appl. Phys. Lett. 103(2013) 223505.

专利申请: 获奖及荣誉:

2010-2011年中国科学院研究生院三好学生

2015年中国科学院院长奖学金(优秀奖)

2015年研究生国家奖学金