- 彭松昂
- 副研究员
简 历：
教育背景
2010.9-2015.6，中国科学院大学研究生院，微电子学与固体电子学，博士
2006.9-2010.6，河南大学，物理学，学士
工作简历
2018.3-至今，中国科学院微电子研究所，副研究员
2015.7-2018.3，中国科学院微电子研究所，助理研究员
社会任职： 研究方向：二维材料电子器件与电路 承担科研项目情况：
国家自然科学基金青年基金项目（61704189）：基于石墨烯异质结构的二维过渡金属硫化物器件界面物性调控研究（2017-2019）
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题“石墨烯与金属及金属氧化物的界面调控和机理研究”(2015-2016)
代表论著：
1、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?”, Adv. Electron. Mater, 2018, 4 (8).
2、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor”, ACS. Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9 (8), pp 6661–6665.
3、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Evidence of electric field tunable tunneling probability in graphene and metal contact”, Nanoscale. 2017,9 (27), 9520-9528.
4、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Effect of source-gate spacing on dc and rf characteristic of graphene field effect transistor”, Appl. Phys. Lett. 106(2015) 022504.
5、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity”, Carbon. 82 (2015) pp.500-505.
6、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation”, Appl. Phys. Lett. 103(2013) 223505.
专利申请： 获奖及荣誉：
2010-2011年中国科学院研究生院三好学生
2015年中国科学院院长奖学金（优秀奖）
2015年研究生国家奖学金
