段瑞飞

中国科学院半导体研究所

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段瑞飞

段瑞飞,男,博士,副研究员,硕士生导师。

1975年6月出生。1997年于内蒙古大学物理系获得理学学士学位,2000年于北京科技大学材料物理系获得工学硕士学位,2003年于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2003-2005年在中国电子科技集团公司五十五所从事材料生长工作。2005年4月至今在半导体所工作。

主要研究领域方向:

化合物半导体外延以及其在氮化物LED等光电子器件中的应用,涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生长III-V族化合物,主要包括氮化物的同质衬底、LED外延材料以及LED器件制备等领域。

目前承担863重大项目“半导体照明工程”子课题”HVPE法制备GaN同质衬底“,参与相关863项目以及基金项目等多项。在国内外刊物上发表相关论文十余篇,申请专利多项。

联系方式:

电话:010-82305083; E-mail:duanrf@semi.ac.cn