- 张艳华
- 研究员
张艳华
张艳华，男，博士，副研究员，硕士生导师。
2005年-2007年从北京理工大学获得硕士学位，硕士期间主要从事分子束外延（MBE）低维材料生长工作。2007年-2019年在中国科学院半导体研究所工作，主要从事量子点、量子阱红外探测器方面的研究。2009年-2012年在中国科学院半导体研究所获得博士学位，主要从事InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的研究。并留所工作，目前，主要从事锑化物红外探测器和太赫兹探测器的研究。在国内外各种期刊上发表论文30余篇,申请专利6项，授权2项。
取得的重要科研成果：
成功研制出具有极高晶体质量的InSb和混合型两种界面类型的长波InAs/GaSb 二类超晶格红外探测器，证实InSb界面优于混合界面，并首次进行了物理解释。在国际上首次报道了两端电压调制窄带长波/甚长波双色InAs/GaSb II类超晶格红外探测器。国际上首次报道了最短波长为1微米的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器。与兄弟单位合作研制成功二类超晶格中波、长波及中/长波双色红外焦平面阵列器件。
主要研究领域方向：
新型低维半导体结构材料生长及器件，锑化物红外探测器，太赫兹探测器。
联系方式：
E-mail：zhangyanhua@semi.ac.cn，电话：010-82304530
在研/完成项目：
1. 国家自然科学基金青年项目, “甚长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格探测器材料及其新型界面研究”，2014/01-2016/12。项目负责人
2. 国家自然科学基金面上项目, “反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料及其器件研究”, 2018/1-2021/12。项目负责人
3. 北京市自然科学基金面上项目, “反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测器材料生长研究”，2018/1-2019/12。项目负责人
4.国家973项目, “半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”，2010.1-2014.12，469万，参加。
5.其他项目，850万，2016.01-2018.12，参加。
代表性论文或著作：
Y.H.Zhang,W.Q.Ma,J.L.Huang,etal.,“PushingDetectionWavelengthToward1μmbyTypeIIInAs/GaAsSbSuperlatticesWithAlSbInsertionLayers”,IEEEElectronDeviceLett.37,1166(2016).
张艳华*，马文全，卫炀，黄建亮，曹玉莲，崔凯，郭晓璐，邵军，“长波和甚长波及其双色InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器的研究进展”，中国科学:物理学 力学 天文学, 44, 390, (2014).
Y.H.Zhang,W.Q.Ma,Y.L.Cao,J.L.Huang,Y.Wei,K.Cui,andJ.Shao,“Narrow-bandlong-/very-longwavelengthtwo-colortype-IIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorbychangingthebiaspolarity”,Appl.Phys.Lett.100,173511(2012).
Y.H.Zhang,W.Q.Ma,Y.L.Cao,J.L.Huang,Y.Wei,K.Cui,andJ.Shao,“LongwavelengthinfraredInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorswithInSb-likeandmixedinterfaces”,IEEEJ.QuantumElectron.47,1475(2011).
B.Y.Nie,J.L.Huang, C.C. Zhao, W.J. Huang, Y.H.Zhang, Y. L. Cao,W.Q.Ma, “InAs/GaSbsuperlatticeresonanttunnelingdiodephotodetectorwithInAs/AlSbdoublebarrierstructure”,Appl.Phys.Lett.,114,053509（2019）.
W.J.Huang,J.L.Huang, Y.H.Zhang,C.C. Zhao, B.Y.Nie, Y. L. Cao W.Q.Ma,“Short/Mid-WaveTwo-BandType-IISuperlatticeInfraredHeterojunctionPhototransistor”,IEEEPhoto.Technol.Lett.,31,137(2019).
J.L.Huang,W.Q.Ma,Y.H.Zhang,etal.,“Two-ColorniBinTypeIISuperlatticeInfraredPhotodetectorWithExternalQuantumEfficiencyLargerThan100%”,IEEEElectronDeviceLett.38,1266(2017).
W.J.Huang,W.Q.Ma,J.L.Huang,Y.H.Zhang,etal.,“ElectronmobilityofinvertedInAs/GaSbquantumwellstructure”,SolidStateCommunications,267,29(2017).
J.L.Huang,W.Q.Ma,Y.H.Zhang,etal.,“ExperimentaldeterminationofbandoverlapintypeIIInAs/GaSbsuperlatticebasedontemperaturedependentphotoluminescencesignal”,SolidStateCommunications,224,34(2015）.
J.L.Huang,W.Q.Ma,Y.H.Zhang,etal.,“ImpactofbandstructureofOhmiccontactlayersontheresponsefeatureofp-i-nverylongwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticephotodetector”,Appl.Phys.Lett.,106,263502（2015）.
J.L.Huang,W.Q.Ma,Y.H.Zhang,etal.,“Narrow-bandTypeIISuperlatticePhotodetectorwithDetectionWavelengthShorterthan2um”,IEEEPhoto.Technol.Lett.,27,2276,（2015）.
K.Liu,W.Q.Ma,J.L.Huang,Y.H.Zhang,etal.,“Longerthan1.9μmphotoluminescenceemissionfromInAsquantumstructureonGaAs(001)substrate”,Appl.Phys.Lett.107,041103,(2015).
J.L.Huang,W.Q.Ma,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,andJ.Shao,“InterfaceeffectonstructuralandopticalpropertiesoftypeIIInAs/GaSbsuperlattices”,J.CrystalGowth.407,37(2014).
Q.Li,W.Q.Ma,Y.H.Zhang,K.Cui,J.L.Huang,Y.Wei,etal.,“DarkcurrentmechanismofunpassivatedmidwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticeinfraredphotodetector”,Chin.Sci.Bull.59,3696(2014).
K.Cui,W.Q.Ma,Y.H.Zhang,etal.,“540-meVHoleActivationEnergyforGaSb/GaAsQuantumDotMemoryStructureUsingAlGaAsBarrier”,IEEEElectronDeviceLett.34,759(2013).
X.L.Guo,W.Q.Ma,J.L.Huang,Y.H.Zhang,Y.Wei,K.Cui,Y.L.Cao,andQ.Li,“Electricalpropertiesoftheabsorberlayerformid,longandverylongwavelengthdetectionusingtype-IIInAs/GaSbsuperlatticestructuresgrownbymolecularbeamepitaxy”,Semicond.Sci.Technol.28,045004(2013).
J.L.Huang,W.Q.Ma,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,Y.L.Cao,X.L.GuoandJ.Shao,“HowtousetypeIIInAs/GaSbsuperlatticestructuretoreachdetectionwavelengthof2–3μm”,IEEEJ.QuantumElectro.48,1322(2012).
J.L.Huang,W.Q.Ma,Y.L.Cao,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,G.R.DengandY.L.Shi,“MidwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorusingSiOxNypassivation”,Jpn.J.Appl.Phys.51,074002(2012).
K.Cui,W.Q.Ma,J.L.Huang,Y.Wei,Y.H.Zhang,Y.L.Cao,Y.X.GuandT.Yang,“Multilayeredtype-IIGaSb/GaAsself-assembledquantumdotstructurewith1.35μmlightemissionatroomtemperature”,PhysicaE.45,173(2012).
Y.Wei,W.Q.Ma,Y.H.Zhang,J.L.Huang,Y.L.Cao,andK.Cui,“HighstructuralqualityoftypeIIInAs/GaSbsuperlatticesforverylongwavelengthinfrareddetectionbyinterfacecontrol”,IEEEJ.QuantumElectron.48,512(2012).
K.Cui,W.Q.Ma,Y.H.Zhang,J.L.Huang,,Y.Wei,Y.L.Cao,Z.Jin,andL.F.Bian,“Forwardbiasvoltagecontrolledinfraredphotodetectionandelectroluminescencefromap-i-nquantumdotstructure”, Appl.Phys.Lett.99,023502(2011).
Y.Wei,W.Q.Ma,J.L.Huang,Y.H.Zhang,Y.H.Huo,K.Cui,L.H.Chen,andY.L.Shi,“Verylongwavelengthquantumdotinfraredphotodetectorusingamodifieddots-in-a-wellstructurewithAlGaAsinsertionlayers”,Appl.Phys.Lett.98,103507(2011).
J.L.Huang,W.Q.Ma,Y.Wei,Y.H.Zhang,Y.H.Huo,K.Cui,andL.H.Chen,“Two-colorIn0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9Asquantumdotinfraredphotodetectorwithdoubletunnellingbarriers”,Appl.Phys.Lett.98,103501(2011).
Y. H. Huo, W. Q. Ma, Y. H. Zhang, L. H. Chen and Y. L. Shi “Quantum well infrared photodetector simultaneously working in two atmospheric windows”，Applied Physics A, 100, 415 (2010).
