- 赵宏武
- 研究员
赵宏武 简介
简介
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1991年毕业于天津大学物理系，1997年于南京大学物理系获得博士学位。2000年在德国马普金属所作访问学者。2001-2003 年在加州大学伯克利校区和劳伦斯－伯克利国家实验室作研究助理。2005-2007年期间多次在德国马普微结构物理所进行工作访问。现任物理所研究员、博士生导师。
主要研究方向
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下一代信息存储与处理器件面临着记录单元尺寸减小导致的量子尺寸效应的挑战。如何实现对现有经典存储信息器件的升级，克服当前信息技术瓶颈的重要物理问题，以及开拓新的基于量子效应的量子信息存储与处理器件，是我们当前需要研究的前沿课题。我们将通过开拓先进实验技术，探索固态体系中电子、自旋、原子和受限系统与量子信息相关的物理现象，探索量子调控在信息器件中的应用，最终实现经典信息存储器件的升级换代以及固态量子计算和信息处理。主要研究内容包括：
1.
新型拓扑量子材料
。作为一种全新的量子结构，拓扑绝缘体具有受拓扑保护的奇异自旋结构的表面态。我们将研究如何对拓扑绝缘体的电子自旋方向进行调控，探索拓扑绝缘体在自旋电子学、量子信息方向的潜在应用。
2.
阻变存储器的材料、物理与器件
。 在氧化物薄膜上施加电场，电场的大小和正负极性将导致电阻的双稳态，可以用作下一代的非易失存储器，有可能取得现在的内存、硬盘和闪存，并实现存算一体。我们目前正在研究阻变结构中在高低阻态下的导电通道形成和湮灭过程，力图澄清物理机制，实现性能优异、稳定的可以面向工业应用的新材料。
3.
自旋电子学物理与材料研究。
电子具有电荷属性，还有自旋属性。基于电场控制电荷的大规模半导体集成电路是上世纪信息产业蓬勃发展的核心基础。如果能控制电子的自旋，将在信息存储和处理过程中引入新的自由度，催生一系列基于电子自旋调控的新型电子学材料和器件，诸如计算机中基于巨磁电阻效应的GMR/TMR磁头。
