孙昀

中国科学院微电子研究所

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  • 孙昀
  • 副研究员

简 历:

毕业于英国University of Essex, 博士,现任高频高压中心副研究员。

主要研究方向为基于化合物半导体的超高速直调激光器、高功率激光器阵列、新型光电材料和光电器件、光电物理与技术等。设计、研制的高速直调面发射激光器已实现在短距离高速光互连模块的示范应用。在半导体光电材料,半导体激光器器件设计与制备、以及光电器件的研究上有丰富的经验。

社会任职: 研究方向:基于化合物半导体的超高速直调激光器、高功率激光器阵列、新型光电材料和光电器件、光电物理与技术 承担科研项目情况: 代表论著:

在Phys. Rev. B;J. Appl. Phys., Mat. Sci Eng. (b); Nanoscale Res. Lett.;IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron 等国际学术期刊上相继发表论文20余篇。

专利申请: 获奖及荣誉: