- 田晓丽
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2002.09-2006.07，四川大学，学士
2006.09-2009.06，四川大学，硕士
2012.09-至今，中国科学院大学，博士研究生
工作简历
2009.07-至今，中国科学院微电子研究所
社会任职： 研究方向：IGBT/FRD等电力电子器件及工艺研究 承担科研项目情况：
(一)作为负责人承担的课题:
1. 重大科技(02)专项 二级子课题《逆导型RC-IGBT关键技术研究及产品研制》(2011ZX02503-003-001);
2. 中国科学院微电子研究所所长基金项目《一种新型的绝缘栅双极晶体管-逆导型IGBT(RC-IGBT)的模型与关键技术研究》(NO. Y1GZ241s01)
(二)作为核心骨干参与的课题:
1. 重大科技(02)专项一级课题《1700V-6500V IGBT产品的产业化设计研发》
2. 重大科技(02)专项一级课题《IGBT产品开发、测试与可靠性研究》
3. 重大科技(02)专项一级课题《测试及可靠性服务平台建设》
4. 重大科技(02)专项一级课题《高压IGBT芯片产品检测与考核公共实验室建设》
5. 中国科学院重要方向性项目《面向电动汽车和智能电网应用的电力电子器件国产化研制》
6. 中国科学院院地合作项目《面向智能电网和高铁应用的IGBT器件产业化》
7. 中国科学院院地合作项目《电动汽车用高压大功率电力电子器件产业化应用解决方案》
8. 广东省中国科学院全面战略合作项目《基于家电与工控领域的新型功率器件研发与产业化》
代表论著：
[1]. Tian Xiaoli, Chu Weili, Lu Jiang, et al. “A novel optimization design for 3.3kV injection-enhanced gate transistor”. Journal of Semiconductors, 2004, 35(1):014005-1
[2]. Tian Xiaoli, Lu Jiang, Teng Yuan, et al. “Backside optimization for improving avalanche breakdown behavior of 4.5kV IGBT”. Journal of Semiconductors, 已接收.
[3]. 出版译著：B.J.Baliga著，第八章翻译，功率半导体器件基础，电子工业出版社, 2013
[4]. Zhang Wenliang, Zhu Yangjun, Lu Shuojin, Tian Xiaoli, Teng Yuan. “Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design”. Electron Device Letters, IEEE, 已接收.
[5]. Zhang Wenliang, Tian Xiaoli, Tan Jingfei, et al. “The snap-back effect of RC- IGBT and its simulations”. Journal of Semiconductors, 2013, 34(7):86-90.
[6]. Lu Jiang, Tian Xiaoli, Lu Shuojin, et al. “Dynamic avalanche behavior of power MOSFETs and IGBTs under unclamped inductive switching conditions” . Journal of Semiconductors, 2013, 34(3):26-30.
专利申请：
1. 田晓丽，朱阳军，吴振兴，张彦飞，卢烁今，一种场限环结构，201120209191.4
2. 田晓丽，朱阳军，吴振兴，卢烁今，结终端延伸结构及其制造方法，201110166489.6
3. 田晓丽，朱阳军，卢烁今，吴振兴，一种中高压IGBT终端，201320121922.9
4. 田晓丽，朱阳军，陆江，赵佳，左小珍，一种IGBT的版图，201320121908.9
5. 田晓丽，朱阳军，吴振兴，陆江，一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法，201310085560.7
6. 田晓丽，朱阳军，张文亮，吴振兴，RC-IGBT及其制作方法，PCT/CN2012/086018
7. 朱阳军，田晓丽，张文亮，卢烁今，张杰，一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法，201310086221
8. 张文亮，田晓丽，朱阳军，吴振兴，逆导型IGBT的制备方法，201210526292.3
9. 张文亮，田晓丽，朱阳军，胡爱斌，逆导型IGBT的背面结构及其制备方法，201210526482.5
10. 张文亮，田晓丽，朱阳军，卢烁今，一种逆导型IGBT的背面版图布局，201220689587.8
获奖及荣誉：
