- 欧文
- 研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
学习经历：
1. 中国科技大学半导体物理专业硕士毕业；
2. 浙江大学物理系本科毕业；
工作经历：
1. 2009年4月-至今：中国科学院微电子研究所十室副研究员，从事CMOS先进工艺技术和CMOS MEMS研究；
2. 2007年7月-2009年4月：渝德科技（重庆）有限公司C&C部门经理；
3. 2005年9月-2007年3月：华润上华科技有限公司北京分公司工艺部经理；
4. 2004年5月－2005年7月:中国科学院微电子所硅工程中心研究员课题负责人;
5. 1998年7月－2004年5月：中国科学院微电子研究所第1研究室，课题负责人，副研究员/研究员;
6. 1997年7月－1998年7月：香港科技大学电子工程系，访问学者
7. 1992年9月－1997年7月：中国科学院微电子所第3研究室，助理研究员
社会任职： 研究方向：CMOS 新器件，新工艺研究，CMOS MEMS研究 承担科研项目情况：
在研主要项目：
1. 先进纳米CMOS关键工艺技术先导研究；
2. 国家863计划“MEMS与IC集成制造技术及应用”方向”MEMS红外焦平面阵列及CMOS读出电路集成”研究。
完成的主要项目：
1.负责国家973项目“非挥发性存储器与逻辑电路兼容关键工艺技术研究”，圆满完成（2000年－2005年）；
2.负责“超深亚微米关键技术－多层布线技术的研究”，圆满完成任务（2001年－2005年）；
3.参加“九五”攻关项目“0.35um集成电路关键技术研究”和“0.1um级CMOS器件和性能研究”，圆满完成任务，共同获得北京市科技进步2等奖；
4.负责自主研制成功实验型CMP设备；
5.参加“八五”国家重点科技项目《HBT和HEMT基础技术研究》中“0.2-0.5um 微细加工及新结构异质结器件研究”，负责其中HBT新结构器件的研究；提出一种新的HBT器件结构和解决HBT器件中欧姆接触问题；获得优秀论文一篇；
6.参加中国科学院“八五”重大科研项目“新结构器件及微细加工研究”。
代表论著：
1、 “CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究”，刘倜，欧文，半导体学报，2004，
2、“闪速存储器的单管多位技术”,李多力，欧文，微电子学，Vol.34,No.3,2004年6月，pp241-245
3、“SCDI Flash Memory Device II：Experiments andCharacteristics”，欧文，钱鹤，半导体学报，Vol.25,No.5,2004年5月,pp497-501
4、“SCDI Flash Memory Device I：Simulation and Analysis”，欧文，钱鹤，半导体学报，Vol.25,No.4,2004年4月，pp361-365
5、“深硅槽的刻蚀研究”，全国第十二届电子束、离子束、光子束学术会议论文集，2003年9月，北京，pp242-245
6、“光刻胶的刻蚀技术研究”，全国第十二届电子束、离子束、光子束学术会议论文集，2003年9月，北京，pp264-267
7、“Flash 器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性”，半导体学报，Vol.24,No.5,2003年,pp516-519
8、“Novel nonplanar Flash Memory Device”，半导体学报，2002年
9、“Flash Memory器件研究”，微纳电子技术，2002年
专利申请： 获奖及荣誉：
