罗卫军

中国科学院微电子研究所

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  • 罗卫军
  • 研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

1999.09--2003.07 北京师范大学,物理学,本科

2003.09--2008.07 中国科学院半导体研究所,微电子学与固体电子学,博士

工作简历

2008.07--2010.10 中国科学院微电子研究所,助理研究员

2010.10--2019.04 中国科学院微电子研究所,副研究员

2019.04-- 至今 中国科学院微电子研究所,研究员

社会任职:

中国科学院大学微电子学院岗位教师

研究方向:

微波射频器件与集成电路芯片应用研究

承担科研项目情况:

1,XXX波段GaN大功率开关器件技术,解放军装备发展部预研项目

2,XXX波段GaN ED电路研究,国家科技重大专项项目

3,GaN开关功放芯片研究,国家自然科学基金项目

代表论著:

1] Weijun Luo, Hui Liu, Zongjing Zhang, Pengpeng Sun, Xinyu Liu, “High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Vol. 64, Issue 9, pp. 3627-3633, 2017

[2] Hui Liu, Zongjing Zhang and Weijun Luo** (Corresponding Author), “Analysis of reverse gate leakage mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with N2 plasma surface treatment”, Solid State Electronics, vol. 144, Pages 60-66, June 2018;

[3] Pengpeng Sun, Hui Liu, Zongjing Zhang, Miao Geng, Rong Zhang, Weijun Luo** (Corresponding Author), “X-band 5-bit MMIC phase shifter with GaN HEMT technology”, Solid-State Electronics 136 (2017) 18–23

[4] Weijun Luo, Xiaoliang Wang, Lunchun Guo, et al, “The effect of low temperature AlN interlayer on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD”, Superlattices and Microstructures, 44 (2008) 153–159

[5] Weijun Luo, Xiaojuan Chen, Hui Zhang, Guoguo Liu, Yingkui Zheng, Xinyu Liu, “C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE”, Solid-State Electronics 54 (2010) 457–460

[6] LUO Wei-Jun, CHEN Xiao-Juan, YUAN Ting-Ting, PANG Lei, LIU Xin-Yu, “AlGaN/GaN Based Diodes for Liquid Sensing”, CHIN. PHYS. LETT. Vol. 30, No. 3 (2013) 037301

[7] W.J. Luo X.J. Chen, L. Pang, T.T. Yuan, X.Y. Liu, “A 24W Ku band GaN based power amplifier with 9.1 dB linear gain”, Microelectronics Journal, 43 (2012) 569–572

[8] W.J. Luo, X.J. Chen, C.Y. Yang, Y.K. Zheng, K. Wei, X.Y. Liu, “Stabilization network optimization of internally matched GaN HEMTs”, Microelectronics International, Vol.28 Iss:2, pp. 34-37 (2011)

[9] Weijun Luo, Xiaoliang Wang, Lunchun Guo, et al, “Influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD”, Microelectronic Journal, 39 (2008) 1710–1713

专利申请:

1. 罗卫军,陈晓娟,杨成樾,刘新宇,高频内匹配功率器件的封装方法

专利号:CN201210319726.2

2. 罗卫军,陈晓娟,袁婷婷,庞磊,刘新宇,氮化镓基液体传感器及其制备方法

专利号:CN201210319891.8

3. 罗卫军,陈晓娟,刘新宇,杨成樾,具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路

专利号:CN200910312949.4

4. 罗卫军, 陈晓娟, 袁婷婷, 庞磊, 刘新宇,一种微波集成电路微带网络

专利号:CN201010609275.7

5.罗卫军,陈晓娟,李滨,刘新宇,杨成樾,混合微波集成电路

专利号:CN200910312074.8

获奖及荣誉: