- 王盛凯
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2008.10-2011.9 东京大学 材料工程系 博士
2006.9-2008.9 哈尔滨工业大学 材料科学与工程系 硕士
2002.9-2006.8 哈尔滨工业大学 材料科学与工程系 学士
工作简历
2015.8-至今 中国科学院微电子研究所 副研究员，课题组长
(2019.1-至今) 中国科学院微电子研究所青促会副组长
2015.4-2015.7 东京大学 材料工程系 公派访问学者
2013.10-2015.3 中国科学院微电子研究所 副研究员
2011.10-2013.9 中国科学院微电子研究所 助理研究员
社会任职： 研究方向：
MOS表面与界面科学, 仿生智能器件与应用
承担科研项目情况：
1. 中国科学院青年促进会项目 (2017-2020) 80万元 负责人
2. 中物院横向项目3项 (2017-2020) 166.8万元 负责人
3. 国家自然科学基金青年基金项目(61204103) “Ge-MOS 技术中镧系复合高k介质与GeO2/Ge 界面调控的研究”（2013-2015）31万元
4. 中国科学院人才基金A类重点项目-“基于光子晶体技术的硅基锗红外探测器研究”（2013-2014）50万元
参与科研项目情况：
骨干参与02专项课题、国家重点研发计划、973项目课题4项
代表论著：
发表期刊和会议论文70余篇(一作17篇)，H因子14，总引用696
(数据来源Google Scholar 2019-06-12)
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2. S. K. Wang, “Germanium and III-Vs for future logic (Invited)”, Compound Semiconductor-International, March 7-8, Brussels Belgium, 2017.
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11. S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, “Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy”, Appl. Phys. Lett., 101, 5 (2012)
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14. S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, “Kinetic Effects of O-vacancy Generated by GeO2/Ge Interfacial Reaction”, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 10PE04-1 (2011). Selected as the Spotlight paper of Japanese Journal of Applied Physics 2011.
15. S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, “Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure”, J. Appl. Phys., 108, 054104 (2010).
专利申请：
74项专利申请(第一发明人25项)，授权17项（含美国专利1项)。
获奖及荣誉：
1. 2017-2020, 中国科学院青年创新促进会会员
2. 2018，中国科学院微电子所科普大赛一等奖
3. 2017，中国科学院微电子所科普大赛一等奖
4. 2011, Young Researcher Award, IEEE-IWDTF2011, Japan.
5. 2009-2011, Global Center of Excellence Scholarship, Japan.
6. 2008, 哈尔滨工业大学优秀毕业生－金牌
7. 2006, 国防科工委优秀毕业生
