韦亚一

中国科学院微电子研究所

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  • 韦亚一
  • 课题负责人、02项目首席科学家
  • 研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景:

1998毕业于德国马普固体所/德国斯图加特大学,获理学博士学位

1992毕业于中国科学院电子学研究所,获工学硕士学位

工作简历:

2013年 – 至今: 中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师;国家科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备”首席科学家(沈阳芯源微电子设备公司)。

2009年 – 2013年: 美国格罗方德纽约研发中心光刻经理。

2007年 – 2008年: 美国安智公司新泽西研发中心,高级科学家(Senior Staff Scientist)。

2001年 – 2007年: 德国英飞凌公司美国纽约研发中心,高级工程师(Senior/Staff Engineer)。

1998年 – 2001年: 美国能源部橡树岭国家实验室,博士后

社会任职: 研究方向:193nm浸没式光刻工艺;光学邻近效应修正(optical proximity collection);光刻材料研发和评估;匀胶显影设备(track)研发 承担科研项目情况: 代表论著:Advanced processes for 193nm immersion lithography, SPIE Press 2009 专利申请: 获奖及荣誉: