- 陈巍巍
- 高级工程师
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景：
毕业于清华大学
社会任职： 研究方向：纳米集成电路设计，高速存储器设计 承担科研项目情况：
带领团队研发完成业内首个0.13um嵌入式闪存IP硅编译器；
建立国内首个3D NAND设计团队并奠定测试芯片架构和关键设计环节；
指导设计服务团队为企业提供10余款IP产品的设计。
代表论著： 专利申请：
2项美国专利（均已授权），51项国内发明专利(26项已授权)
获奖及荣誉：
简 历：
教育背景：
毕业于清华大学
社会任职： 研究方向：纳米集成电路设计，高速存储器设计 承担科研项目情况：
带领团队研发完成业内首个0.13um嵌入式闪存IP硅编译器；
建立国内首个3D NAND设计团队并奠定测试芯片架构和关键设计环节；
指导设计服务团队为企业提供10余款IP产品的设计。
代表论著： 专利申请：
2项美国专利（均已授权），51项国内发明专利(26项已授权)
获奖及荣誉：