陈巍巍

中国科学院微电子研究所

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  • 陈巍巍
  • 高级工程师
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景:

毕业于清华大学

社会任职: 研究方向:纳米集成电路设计,高速存储器设计 承担科研项目情况:

带领团队研发完成业内首个0.13um嵌入式闪存IP硅编译器;

建立国内首个3D NAND设计团队并奠定测试芯片架构和关键设计环节;

指导设计服务团队为企业提供10余款IP产品的设计。

代表论著: 专利申请:

2项美国专利(均已授权),51项国内发明专利(26项已授权)

获奖及荣誉: