- 刘果果
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
1999.9-2003.7，北京师范大学，获理学学士学位；
2003.9-2008.7，中国科学院微电子研究所，获工学博士学位。
工作简历
2008.7-2012.9，微电子研究所，高频高压中心助理研究员；
2012.10至今，微电子研究所，高频高压中心副研究员。
社会任职： 研究方向：化合物半导体器件和微波集成电路研究 承担科研项目情况：
1.国家科技重大专项项目“国家科技重大专项“高频段5G基站用功率放大器试验样片及模块研发”，课题骨干国家科技重大专项项目“XX波段以下GaN功率器件及MMIC”，课题骨干
2.中国科学院重点部署项目“XX功率、低噪声放大器研究”，子课题负责人
代表论著：
1. Liu Guoguo,Wei Ke,Huang Jun, Niu Jiebin, AlGaN/GaN HEMT with 200GHz fmax on sapphire substrate with InGaN back-barrier, J.Infrared Millim. Waves,Vol.30,No.4,August, 2011
2.刘果果 郑英奎 魏珂 李诚瞻 刘新宇 “8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 ”半导体学报，2008, 29(7): 1354-1356
3.Liu Guoguo , Huang Jun , Wei Ke, Liu Xinyu , He Zhijing，“Post-gate process annealing effects of recessed AlGaN/GaN HEMTs” Chinese Journal of Semiconductors , 2008,29(12): 2326-2330
专利申请：
1.一种提高AlGaN/GaN频率特性的方法, 专利申请号：201010217196.1
2. HEMT器件及制造方法，专利申请号：201110364028.X
3.专一种T型栅的制备方法,专利申请号：201210046607.4
4.一种深亚微米U型栅槽的制作方法，专利申请号：201410005105.64
5.一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法，专利申请号：201410005454.8
获奖及荣誉：
