刘果果

中国科学院微电子研究所

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  • 刘果果
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

1999.9-2003.7,北京师范大学,获理学学士学位;

2003.9-2008.7,中国科学院微电子研究所,获工学博士学位。

工作简历

2008.7-2012.9,微电子研究所,高频高压中心助理研究员;

2012.10至今,微电子研究所,高频高压中心副研究员。

社会任职: 研究方向:化合物半导体器件和微波集成电路研究 承担科研项目情况:

1.国家科技重大专项项目“国家科技重大专项“高频段5G基站用功率放大器试验样片及模块研发”,课题骨干国家科技重大专项项目“XX波段以下GaN功率器件及MMIC”,课题骨干

2.中国科学院重点部署项目“XX功率、低噪声放大器研究”,子课题负责人

代表论著:

1. Liu Guoguo,Wei Ke,Huang Jun, Niu Jiebin, AlGaN/GaN HEMT with 200GHz fmax on sapphire substrate with InGaN back-barrier, J.Infrared Millim. Waves,Vol.30,No.4,August, 2011

2.刘果果 郑英奎 魏珂 李诚瞻 刘新宇 “8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 ”半导体学报,2008, 29(7): 1354-1356

3.Liu Guoguo , Huang Jun , Wei Ke, Liu Xinyu , He Zhijing,“Post-gate process annealing effects of recessed AlGaN/GaN HEMTs” Chinese Journal of Semiconductors , 2008,29(12): 2326-2330

专利申请:

1.一种提高AlGaN/GaN频率特性的方法, 专利申请号:201010217196.1

2. HEMT器件及制造方法,专利申请号:201110364028.X

3.专一种T型栅的制备方法,专利申请号:201210046607.4

4.一种深亚微米U型栅槽的制作方法,专利申请号:201410005105.64

5.一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法,专利申请号:201410005454.8

获奖及荣誉: