- 李超波
- 研发中心主任
- 研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
1997-2001 山东大学 通信与信息系统 理学学士
2002-2007 中国科学院微电子研究所 微电子学与固体电子学 工学博士
工作简历
2007.07至今，在中国科学院微电子研究所工作，现为研究员、博士生导师、微电子仪器设备研发中心主任，中国科学院青联委员，北京市生产力促进中心特聘责任专家。
1. 2007年~2009年，中国科学院微电子研究所微电子设备技术研究室工作，任新原理装备课题组组长、助理研究员
2. 2009年~2011年，任微电子设备技术研究室主任助理、副研究员
3. 2011年起，任微电子设备技术研究室副主任、副研究员
4. 2014年起，任微电子设备技术研究室副主任、研究员
5. 2015年起，任微电子仪器设备研发中心副主任、研究员，中国科学院青联委员
6. 2017年起，任微电子仪器设备研发中心主任、研究员，博士生导师，中国科学院青联委员
社会任职：北京市科委“精机工程”（微电子装备、智能可穿戴领域）特聘责任专家 研究方向：新原理纳米加工工艺与装备、MEMS制造与传感技术、智能装备 承担科研项目情况：
1. 中国科学院青年创新促进会优秀会员人才计划，2016-2018
2. 可控原位掺杂的原子层薄膜制备系统，中国科学院装备研制项目，2013-2015
3. 45nm铜互连清洗设备工艺腔室与工艺开发，2013-2015
4. 等离子体浸没超低能离子注入机，国家科技重大专项，2009-2014，负责人
5. 中国科学院青年创新促进会会员，2011-2014
代表论著：
1. Preparation of ZnO films with variable electric field-assisted atomic layer deposition technique，Applied Surface Science，2014
2. 浸没式等离子体注入设备的仿真优化，真空科学与技术学报，2014
3. 原子层沉积生长速率的控制研究进展，无机材料学报，2014
4. High-precision thickness regulation of graphene layers with low energy helium plasma implantation，Nanotechnology，2012
5. Anodic bonding using a hybrid electrode with a two-step bonding process，Journal of Semiconductors，2012
专利申请：
1. 一种用于微流体系统中的对准键合结构及其制作方法，发明专利，2015
2. 一种等离子体浸没注入装置，发明专利，2011
3. 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法，发明专利，2010
4. 用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置，发明专利，2010
5. 基片离子均匀注入的方法，发明专利，2010
6. 一种用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置，发明专利，2009
获奖及荣誉：
1. 原子层沉积系统的开发与应用，中国电子学会技术发明一等奖，2017年
2. 离子体浸没离子注入机开发与应用，北京市科学技术奖三等奖，2014年
3. 原子层沉积系统级工艺，全国发明展览会一等奖，2011年
4. 高亮度LED图形化衬底刻蚀系统及工艺，全国发明展览会三等奖，2011年
5. 首都科技条件平台中国科学院研发试验服务基地测试基金一等奖，2009年
6. 中国科学院青年创新促进会首批优秀会员，2015年
7. 中国科学院青年创新促进会首批会员，2011年
8. 中国科学院微电子研究所特别表现奖，2008年
9. 中国科学院优秀毕业生，2007年
