李超波

中国科学院微电子研究所

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  • 李超波
  • 研发中心主任
  • 研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

1997-2001 山东大学 通信与信息系统 理学学士

2002-2007 中国科学院微电子研究所 微电子学与固体电子学 工学博士

工作简历

2007.07至今,在中国科学院微电子研究所工作,现为研究员、博士生导师、微电子仪器设备研发中心主任,中国科学院青联委员,北京市生产力促进中心特聘责任专家。

1. 2007年~2009年,中国科学院微电子研究所微电子设备技术研究室工作,任新原理装备课题组组长、助理研究员

2. 2009年~2011年,任微电子设备技术研究室主任助理、副研究员

3. 2011年起,任微电子设备技术研究室副主任、副研究员

4. 2014年起,任微电子设备技术研究室副主任、研究员

5. 2015年起,任微电子仪器设备研发中心副主任、研究员,中国科学院青联委员

6. 2017年起,任微电子仪器设备研发中心主任、研究员,博士生导师,中国科学院青联委员

社会任职:北京市科委“精机工程”(微电子装备、智能可穿戴领域)特聘责任专家 研究方向:新原理纳米加工工艺与装备、MEMS制造与传感技术、智能装备 承担科研项目情况:

1. 中国科学院青年创新促进会优秀会员人才计划,2016-2018

2. 可控原位掺杂的原子层薄膜制备系统,中国科学院装备研制项目,2013-2015

3. 45nm铜互连清洗设备工艺腔室与工艺开发,2013-2015

4. 等离子体浸没超低能离子注入机,国家科技重大专项,2009-2014,负责人

5. 中国科学院青年创新促进会会员,2011-2014

代表论著:

1. Preparation of ZnO films with variable electric field-assisted atomic layer deposition technique,Applied Surface Science,2014

2. 浸没式等离子体注入设备的仿真优化,真空科学与技术学报,2014

3. 原子层沉积生长速率的控制研究进展,无机材料学报,2014

4. High-precision thickness regulation of graphene layers with low energy helium plasma implantation,Nanotechnology,2012

5. Anodic bonding using a hybrid electrode with a two-step bonding process,Journal of Semiconductors,2012

专利申请:

1. 一种用于微流体系统中的对准键合结构及其制作方法,发明专利,2015

2. 一种等离子体浸没注入装置,发明专利,2011

3. 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法,发明专利,2010

4. 用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置,发明专利,2010

5. 基片离子均匀注入的方法,发明专利,2010

6. 一种用于等离子体浸没注入剂量检测的法拉第装置,发明专利,2009

获奖及荣誉:

1. 原子层沉积系统的开发与应用,中国电子学会技术发明一等奖,2017年

2. 离子体浸没离子注入机开发与应用,北京市科学技术奖三等奖,2014年

3. 原子层沉积系统级工艺,全国发明展览会一等奖,2011年

4. 高亮度LED图形化衬底刻蚀系统及工艺,全国发明展览会三等奖,2011年

5. 首都科技条件平台中国科学院研发试验服务基地测试基金一等奖,2009年

6. 中国科学院青年创新促进会首批优秀会员,2015年

7. 中国科学院青年创新促进会首批会员,2011年

8. 中国科学院微电子研究所特别表现奖,2008年

9. 中国科学院优秀毕业生,2007年