- 樊晓华
- 研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2002-2007年，美国Texas A&M University 获电气工程专业哲学博士
1998-2001年，中国科学院微电子研究所获微电子学硕士
1993-1998年，清华大学电子工程系获本科学位
工作简历
1．2012年到现在，中国科学院微电子所射频集成电路研究室研究员，领导无线通讯射频技术实验室
2．2007年到2012年， 美国Marvell Semiconductor Inc, 射频芯片设计经理/高级资深工程师，领导开发/量产GSM/TDSCDMA/WCDMA多模3G射频芯片,成功领导研发LTE(TDD-LTE/FDD-LTE)多模4G射频芯片
3．2006年5月-2006年8月，美国 Linear Technology, 设计实习工程师，负责WIMAX低噪声放大器设计
4．2005年5月-2005年8月， 美国Analog Device, 设计实习工程师，负责高速基于锁相环的时钟产生器设计
社会任职： 研究方向：高性能模拟/射频/混合CMOS集成电路(LNA，Mixer, LPF, ADC/DAC, PLL, CMOS PA, LDO等), TD-LTE/GSM等3G/4G多模手机移动通讯射频芯片，卫星导航定位通讯系统，RFID读写器/标签系统，短距离无线通讯系统，电源管理芯片等。 承担科研项目情况：
1. 北京市科委项目: TD-LTE终端射频芯片研发,(Z111100054111004）
2. 中国科学院微电子研究所所长基金项目: 高性能模拟射频集成电路研究
3．新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室2012年度阶梯计划项目：TD-SCDMA/TD-LTE双模射频芯片关键技术研发
代表论著：
1. Xiaohua Fan, Chinmaya Mishra and Edgar Sánchez-Sinencio, “Single miller capacitor frequency compensation technique for low power multistage amplifiers”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Volume: 40 Issue:3, Mar 2005, Page(s):584-592
2. Xiaohua Fan, Heng Zhang and Edgar Sánchez-Sinencio, “A noise improvement technique for cascade transistors in differential LNA”, IEEE Journal of Solid-State Circuits. Volume: 43 Issue:3, Mar 2008, Page(s):588-599
3. Xiaohua Fan, Marvin Onabajo, Jose Silva-Martinez and Edgar Sánchez-Sinencio, “A current injection Built-In Self-Test technique for RF Front-Ends”, IEEE Transaction on Circuits and Systems I, Volume: 55, No.7, Aug. 2008, Page(s):1794-1804
4. Heng Zhang, Xiaohua Fan, and Edgar Sánchez-Sinencio, “A Low-Power, Linearized, Ultra-Wideband LNA Design Technique”, IEEE Journal of Solid-State Circuits. Volume: 44 Issue:2, Feb. 2009, Page(s):320-330
专利申请： 获奖及荣誉：
