- 韩郑生
- 总工程师
- 研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
1979.9-1983.6：西安交通大学半导体物理与器件,本科毕业，获学士学位。
1985.9-1988.6：西安交通大学半导体物理与器件,研究生毕业，获硕士学位。
工作简历
1997.4-今：中国科学院微电子中心（现改为中国科学院微电子研究所）从事集成电路工艺技术、电路设计、研究生管理及研究室管理工作，曾任高级工程师，光刻工艺负责人，研究室副主任兼任测试工艺负责人，硅工程中心产品部主任，项目/课题负责人，硅器件与集成技术研究室主任，所副总工程师、所第三届学术委员会主任。现任所总工程师、学术委员会副主任、学位委员会副主席、二级研究员、中国科学院大学教授、博士生导师、硅器件与集成技术研发中心总设计师。国家特殊津贴获得者。
北京电力电子学会理事，中国科学院硅器件技术重点实验室学术委员会委员，中国科学院大学微电子学院教学委员会委员。
1999.6-2000.6：香港科技大学,访问学者。
1994.4-1997.3：北京精确微电子研究所，从事集成电路设计工作，任技术负责人。
1993.9-1994.3：北京盈发科技公司，从事集成电路设计工作，任集成电路部副经理。
1988.6-1993.8：北京燕东微电子联合公司，从事集成电路工艺技术、新产品开发及生产线管理，曾任工程师,车间主任，主任工程师。
1983.7-1985.8：电子工业部878厂，从事集成电路工艺技术工作，扩散班长。
社会任职： 研究方向：集成电路技术 承担科研项目情况：
负责或参与了多项重要国家科技项目研究。 包括国家重大专项、973、863、国家自然基金等。
代表论著：
专著《抗辐射集成电路概论》，译著《半导体制造技术》、《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》（第5版）、《功率半导体器件基础》、《空间单粒子效应》、《现代电子系统软错误》，参加《中国材料工程大典》第11卷第3章第3节的编写。发表学术论文100余篇。授权发明专利40余项。
专利申请： 获奖及荣誉：
“亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究”获2005年国家技术发明二等奖;
“高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究” 获2004年北京市科学技术一等奖;
“0.18/0.1微米CMOS集成电路关键技术研究”获2004年北京市科学技术二等奖。
2009年获国防科学技术进步二等奖。
2016年获中国科学院“朱李月华优秀教师奖”。
