韩郑生

中国科学院微电子研究所

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  • 韩郑生
  • 总工程师
  • 研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

1979.9-1983.6:西安交通大学半导体物理与器件,本科毕业,获学士学位。

1985.9-1988.6:西安交通大学半导体物理与器件,研究生毕业,获硕士学位。

工作简历

1997.4-今:中国科学院微电子中心(现改为中国科学院微电子研究所)从事集成电路工艺技术、电路设计、研究生管理及研究室管理工作,曾任高级工程师,光刻工艺负责人,研究室副主任兼任测试工艺负责人,硅工程中心产品部主任,项目/课题负责人,硅器件与集成技术研究室主任,所副总工程师、所第三届学术委员会主任。现任所总工程师、学术委员会副主任、学位委员会副主席、二级研究员、中国科学院大学教授、博士生导师、硅器件与集成技术研发中心总设计师。国家特殊津贴获得者。

北京电力电子学会理事,中国科学院硅器件技术重点实验室学术委员会委员,中国科学院大学微电子学院教学委员会委员。

1999.6-2000.6:香港科技大学,访问学者。

1994.4-1997.3:北京精确微电子研究所,从事集成电路设计工作,任技术负责人。

1993.9-1994.3:北京盈发科技公司,从事集成电路设计工作,任集成电路部副经理。

1988.6-1993.8:北京燕东微电子联合公司,从事集成电路工艺技术、新产品开发及生产线管理,曾任工程师,车间主任,主任工程师。

1983.7-1985.8:电子工业部878厂,从事集成电路工艺技术工作,扩散班长。

社会任职: 研究方向:集成电路技术 承担科研项目情况:

负责或参与了多项重要国家科技项目研究。 包括国家重大专项、973、863、国家自然基金等。

代表论著:

专著《抗辐射集成电路概论》,译著《半导体制造技术》、《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》(第5版)、《功率半导体器件基础》、《空间单粒子效应》、《现代电子系统软错误》,参加《中国材料工程大典》第11卷第3章第3节的编写。发表学术论文100余篇。授权发明专利40余项。

专利申请: 获奖及荣誉:

“亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究”获2005年国家技术发明二等奖;

“高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究” 获2004年北京市科学技术一等奖;

“0.18/0.1微米CMOS集成电路关键技术研究”获2004年北京市科学技术二等奖。

2009年获国防科学技术进步二等奖。

2016年获中国科学院“朱李月华优秀教师奖”。