- 毕津顺
- 研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
1999年9月- 2003年7月 – 南开大学信息科学技术学院微电子系，获得理学学士学位。
2003年9月- 2008年6月 – 中国科学院微电子研究所，硕博连读，获得工学博士学位。
工作简历
2008年6月 – 2012年5月：中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室工作，历任助理研究员，副研究员，从事半导体器件和集成电路辐照效应和抗辐射加固技术研究以及产品开发。
2012年5月 – 2013年8月：中国科学院公派至美国范德堡大学（Vanderbilt University）空间电子防御研究所进行访问学习，师从半导体辐照效应与加固技术领域国际权威IEEE FELLOW Dan Fleetwood和Ron Schrimpf教授。
2013年8月 – 2015年6月：中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室工作， 副研究员，继续从事半导体器件和集成电路辐照效应和抗辐射加固技术研究以及产品开发。
2015年6月 – 今：中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室，副研究员，中国科学院大学岗位教授，从事新型非易失存储器辐照效应和抗辐射加固技术研究以及产品开发。
社会任职：
IEEE Member；
中国科学院青年创新促进会成员；
国家自然科学基金项目评议人；
期刊《半导体学报》、《Science China》、《Chinese Physics B》、《IEEE Transactions on Nuclear Science》、《Nanoscale Research Letters》、《computer Methods and Programs in Biomedicine》、《Journal of Computer Science and Technology》和《Radiation Effects and Defects in Solids》审稿人；
2013年北京地区微电子博士生论坛技术委员会委员；
2016年北京微电子研究生学术论坛技术委员会委员；
研究方向：半导体器件和集成电路辐照效应和抗辐射加固技术 承担科研项目情况：
1、中国科学院青年创新促进会成员；2014/01-2017/12；40万元；在研；主持。
2、国家自然科学基金重点项目；61634008；先进非易失存储器辐照效应和加固技术基础研究；2017/01-2021/12；328万元；在研；主持。
3、国家自然科学基金面上项目；61176095；面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究；2012/01-2015/12；77万元；已结题；主持。
4、国家自然科学基金重点项目；11179003；地面模拟空间辐射环境下的技术方法及单粒子效应研究；2012/01-2015/12；250万元；已结题；参加。
5、国家重大科技专项；10ZX02305-008；工艺平台先导产品设计与验证；2009/01/01-2015/06/30；498万元；已结题；参加。
6、创新研究群体科学基金；61521064；新型微电子器件集成的基础研究；2016/01-2018/12；600万元；在研；参加。
7、中国科学院国际合作项目；172511KYSB20150006；Flash存储器辐照效应模拟；2015/09-2018/08；90万元；在研；参加。
8、中法“蔡元培”交流合作项目；SOI基DC-DC转换器的数字反馈控制环路；2015/05-2017/05；在研；主持。
代表论著：
译著：
《现代电子系统软错误》，毕津顺，韩郑生，电子工业出版社，2016
SCI期刊论文：
1. Yi Ren, Li Chen, Jinshun Bi, An RHBD Bandgap Reference Utilizing Single Event Transient Isolation Technique, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2016, Vol. 63, No. 3, P. 1927 – 1933
2. Bingqing Xie, Bo Li, Jinshun Bi, Jianhui Bu, Chi Wu, Binhong Li, Zhengsheng Han, Jiajun Luo, Effect of cryogenic temperature characteristics on 0.18-μm silicon-on-insulator devices, Chinese Physics B, 2016, Vol. 25, No. 7, P. 078501
3. 赵星，梅博，毕津顺，郑中山，高林春，曾传滨，罗家俊，于芳，韩郑生，0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究，物理学报，2015，Vol. 64, No. 13, P. 136102
4. H. B. Wang, R. Liu, L. Chen, J. S. Bi, M. L. Li, Y. Q. Li, A Novel Built-in Current Sensor for N-WELL SET Detection, Journal of Electronic Testing, 2015, Vol. 31, No. 4, P. 395-401
5. S. Gu, J. Liu, F. Z. Zhao, Z. G. Zhang, J. S. Bi, C. Geng. G. Liu, M. D. Hou, T. Q. Liu, Y. M. Sun, J. Luo, and K. Xi, Influence of Edge Effects on Single Event Upset Susceptibility of SOI SRAM, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2015, Vol. 342, P. 286-291
6. H. B. Wang, J. S. Bi, M. L. Li, L. Chen, R. Liu, Y. Q. Li, A. L. He, and G. Guo, An Area Efficient SEU-Tolerant Latch Design, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, Vol. 61, No. 6, P. 3660 - 3666
7. W. G. Bennet, N. C. Hooten, R. D. Schrimpf, R. A. Reed, M. H. Mendenhall, M. L. Alles, J. Bi, E. X. Zhang, D. Linten, M. Jurzak and A. Fantini, Single- and multiple-event induced unpsets in HfO2/Hf 1T1R RRAM, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, Vol. 61, No. 4
8. Bi Jin-Shun, Zeng Chuan-Bin, Gao Lin-Chun, Liu Gang, Luo Jia-Jun, and Han Zheng-Sheng, Estimation of pulsed laser induced single event transient in a partially-depleted silicon-on-insulator 0.18 μm MOSFET, Chinese Physics B, 2014, Vol. 23, No. 8
9. Haibin Wang, Sanghyeon Baeg, Shi-Jie Wen, Richard Wong, Rita Fung, Jinshun Bi, Single Event Resilient Dynamic Logic Designs, Journal of Electronic Testing: Theory and Applications, 2014，Vol. 30, No. 6
10. Jinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, The Impact of X-Ray and Proton Irradiation on HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, Vol. 60, No. 6
11. Jordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle, Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applications, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, Vol. 60, No. 6
12. 毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生，22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究，物理学报，2013，Vol. 62, No. 20
13. 毕津顺，海潮和，韩郑生，深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究,物理学报，2011，Vol. 60, No.1
EI期刊论文：
1. Jinshun Bi, Zhengsheng Han, Characteristics of HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories, Chinese Journals of Semiconductors, 2015, Vol. 36, No. 6, P. 80-84
2. 毕津顺，韩郑生，“Hf/HfO2基双极阻变存储器研究”，功能材料与器件学报，2014, Vol. 20, No. 5
3. Bo Mei, Jinshun Bi, Duoli Li, Sinan Liu, and Zhengsheng Han, Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET, Chinese Journals of Semiconductors, 2012, Vol. 33, No.2, P. 024002-5
4. Jianhui Bo, Jinshun Bi, Mengxin Liu, and Zhengsheng Han, A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS, Chinese Journals of Semiconductors, 2011, Vol. 32, No. 1, P. 014002-3
5. Jianhui Bo, Jinshun Bi, Limei Song, and Zhengsheng Han, Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs, Chinese Journals of Semiconductors, 2010, Vol. 31, No.1, P. 014002-3
6. Jianhui Bo, Jinshun Bi, Linmao Xi, and Zhengsheng Han, Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction, Chinese Journals of Semiconductors, 2010
7. Wenbin Song, Jinshun Bi, and Zhengsheng Han, A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations, Chinese Journals of Semiconductors, 2009, Vo. 30, No.2, P. 024002-5
8. Jinshun Bi, Limei Song, Chaohe Hai, and Zhengsheng Han, Back-gate effect of SOI LDMOSFETs, Chinese Journals of Semiconductors, 2008, Vol. 29, No. 11 P. 2148-2152
9. Jinshun Bi, and Chaohe Hai, Off-state breakdown characteristics of PDSOI nMOSFETs, Chinese Journals of Semiconductors, 2007, Vol. 28, No. 1, P. 14-18
10. Jinshun Bi, and Chaohe Hai, Study on the characteristics of SOI DTMOS with reverse schottky barriers, Chinese Journals of Semiconductors, 2006, Vol. 27, No.9, P. 1526-1530
11. Jinshun Bi, Junfeng Wu, and Chaohe Hai, Simulation of a double-gate dynamic threshold voltage fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET, Chinese Journals of Semiconductors, 2006, Vol. 27, No.1, P. 35-40
12. 毕津顺，海潮和，“PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究”，固体电子学研究与进展，2008，Vol. 28, No. 1
13. 毕津顺，海潮和，韩郑生，SOI动态阈值MOS研究进展，电子器件，2005，Vol. 28, No. 3
国内核心期刊论文：
1. 吴驰，毕津顺 ，滕瑞 ，解冰清 ，韩郑生 ，罗家俊 ，郭刚 ，刘杰 ，复杂数字电路中的单粒子效应建模综述，微电子学，2016, No. 1，P. 117-123
2. 解冰清，毕津顺，李博，罗家俊，极端低温下硅基器件和电路特性研究进展，微电子学，2016
3. 毕津顺，贾少旭，韩郑生，罗家俊，后端互联工艺对于集成电路单粒子翻转效应的影响，太赫兹科学与电子信息学报，2016，
4. 国硕，毕津顺 ，罗家俊，韩郑生，基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真，半导体技术，2015，Vol. 40, No. 8, P. 592 – 595
5. 鲍进华，吕荫学，李 博，曾传滨，毕津顺，罗家俊，一种基于标准 CMOS 工艺实现的锁相环电路，电子工程，2015
6. 鲍进华，李博，曾传滨，高林春，毕津顺，罗家俊，锁相环单粒子效应分析与设计加固，半导体技术，2015
7. 贾少旭，毕津顺，曾传滨，韩郑生，核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真，核技术，2012，No. 10
8. 范子菡，毕津顺，罗家俊，基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究，微电子学与计算机，2011，No. 12
9. 毕津顺，韩郑生，海潮和，SOI DTMOS温度特性研究，半导体技术，2010，Vol. 35, No. 7, P. 661-663
10. 卜建辉，毕津顺，宋李梅，韩郑生，深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应，微电子学，2010，Vol. 40, No. 3, P. 461-463
11. 毕津顺，韩郑生，海潮和，130nm PDSOI DTMOS体延迟研究，半导体技术，2010，Vol. 35, No. 9, P. 868-870
12. 宋文斌，毕津顺，韩郑生，新型部分耗尽SOI器件体接触结构，半导体技术，2008，Vol. 33, No.11, P. 968-971
13. 范雪梅，毕津顺，刘梦新，杜寰，PD SOI MOSFET低频噪声研究进展，微电子学，2008，38(6)
14. 毕津顺，海潮和，0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究，半导体技术，2007，Vol. 32, No. 6, P. 490-493
国际会议论文：
1. R. Gao, Z. Ji, S. M. Hatta, J. F. Zhang, J. Franco, B. Kaczer, W. Zhang, M. Duan, S. De Gendt, D. Linten, G. Groeseneken, J. Bi and M. Liu, Predictive As-grown-Generation (A-G) model for BTI-induced device/circuit level variations in nanoscale technology nodes, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2. Jinshun Bi, Ming Liu, Zhengsheng Han, The Body Bias Effects on the Single-Event-Transient of Silicon-On-Insulator CMOS Technology, International Conference on Radiation and Applications in Various Fields of Research, 2016, Serbia
3. Jinshun Bi, Jin Li, Langlong Ji, Hongyang Hu, and Ming Liu, The impacts of total ionizing dose irradiation on NOR Flash memory, IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, China
4. Kai Xi, Jinshun Bi, Ming Liu, Jie Liu, Yan Wang, and Mingdong Hou, Sensitivity of Proton Single Event Effect Simulation Tool to Variation of Input Parameters, IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, China
5. Haohao Zhang, Jinshun Bi, Yuan Duan, Yannan Xu, and Ming Liu, Proton Irradiation Effects and Annealing Behaviors of 16Mb Magneto-resistive Random Access Memory(MRAM), IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, China
6. Jinshun Bi, Li Chen, Jin Li, Lanlong Ji, Hongyang Hu, Ming Liu, Total Ionizing Dose and Heavy Ion Effects of 4Mb Serial-Peripheral-Interface(SPI) NOR Flash Memory, IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2016, USA
7. Haohao Zhang, Jinshun Bi, Li Chen, in Li, Lanlong Ji, Hongyang Hu, Le Hao, Ming Liu, Total Ionizing Dose Effects and Annealing behaviors of a Commercial 16 Mb Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM), IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2016, USA
8. Yan Wang, Yang Li, Qi Liu, Jinshun Bi, Jing Liu, Haitao Sun, Hangbing Lv, Shibing Long, Kai Xi, Ming Liu, The Heavy Ion Radiation Effects on the Pt/HfO2/Ti Resistive Switching Memory, IEEE Radiation and its Effects on Components and Systems, 2016, German
9. Jinshun Bi, Jianhui Bu, Ming Liu, Zhengsheng Han, The impact of drain bias on laser-induced single event transient in a 0.18μm PDSOI transistor, ICREED, 2015, China
10. Bo Li, Jinshun Bi, Jia-Jun Luo, Zheng-Sheng Han, Xue-Fang Lin-Shi, Bruno Allard, An SEE Prognostic Cell Embedded Rad-hard Digital Controller for Next Generation DC-DC Converter in Space, ICREED, 2015, China
11. Jinshun Bi, Li Chen, Zhengsheng Han,Yan Wang, Ming Liu, Body Bias Effects on the Single-Event-Transient Response of PDSOI Devices, IEEE Radiation and its Effects on Components and Systems, 2015, Russia
12. Yan Wang, Jinshun Bi, Jing Liu, Qi Liu, Hangbing Lv, Shibing Long, Ming Liu, The TID Effects of RRAM based Oxide Material, IEEE Radiation and its Effects on Components and Systems, 2015, Russia
13. Xuefang Lin-Shi, Bruno Allard, Jinshun Bi, Bo Li, A Stability Analysis Method for DC/DC Converters, The 6th International Conference on Electrical and Control Engineering, 2015, China
14. Wenbin Song, Jinshun Bi, A Method of Extracting the Parameters of SOI MOS Device based on BSIMSOI3 Model, 2nd International Conference on Communication Technology, 2015
15. Jinshun Bi, RRAM: Potential Candidate for Space Electronics?, 1st China-Japan-Korea RRAM and Functional Oxide Workshop, 2014, China
16. Jinshun Bi, Chuanbin Zeng, Linchun Gao, Duoli Li, Gang Liu, Jiajun Luo, and Zhengshen Han, Effects of Contact Materials and Geometry on Pulsed-Laser Single Event Transient Testing, IEEE 27th International Conference on Microelectronic Test Structures, 2014, Italy
17. Jinshun Bi,, Zhengsheng Han, Mitigation of Soft Errors in Resistive Switching Random-Access-Memories, IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2014, China
18. Jinshun Bi, Bo Li, Zhengsheng Han, Jiajun Luo, Li Chen, and Xuefang Lin-Shi, 3D TCAD Simulation of Single-Event-Effect in N-Channel Transistor based on Deep Sub-Micron Fully-Depleted Silicon-On-Insulator Technology, IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, China
19. Shuo Guo, Jinshun Bi, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, 3-D Geant4 Simulation of Deep Sub-Micron SOI SRAM Irradiated by Proton, IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, China
20. Bo Li, Jinshun Bi, Zhengsheng Han, Jiajun Luo, Xuefang Lin-Shi, Bruno Allard, and Li Chen, A Digital Direct Controller for Buck Converter, IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, China
21. Xuefang Lin-Shi, Bruno Allard, Jinshun Bi, and Bo Li, Stability Analysis for Integrated DC/DC Converters, IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, China
22. Xing Zhao, Bo Mei, Jinshun Bi, Zhongshan Zheng, Linchun Gao, Chuanbin Zeng, Jiajun Luo, Fang Yu, and Zhengsheng Han, Single Event Transient in PDSOI CMOS Inverter Chain Irradiated by Pulsed Laser, IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, China
23. Kai Zhao, Xing Zhao, Jiantou Gao, Jinshun Bi, Jiajun Luo, Fang Yu, and Zhongli Liu, DSOI FET – A Novel TID Tolerant SOI Transistor, IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, China
24. Jinshun Bi, Chuanbin Zeng, Linchun Gao, Duoli Li, Gang Liu, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. Fleetwood, Estimation of pulsed laser induced single event transient in a PDSOI 0.18μm single MOSFET, The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, 2012, Japan
25. Jinshun Bi, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. M. Fleetwood, Neutron-induced single-event-transient effects in ultrathin-body fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs, IEEE International Reliability Physics Symposium, 2013, USA
26. Jinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, Total-dose response of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories, IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC), 2013, USA
27. Jordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle, Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applications, IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC), 2013, USA
28. William G. Bennett, Nicholas C. Hooten, Ronald D. Schrimpf, Jinshun Bi, Mike L. Alles, Robert A. Reed, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini, Single event induced upsets in HfO2/Hf 1T1R RRAM, Radiation Effects on Components and Systems(RADECS), 2013, UK
29. Jinshun Bi, Gang Liu, Jianjun Luo , and Zhengsheng Han, High reliable silicon-on-insulator CMOS technology aimed at lunar and deep space exploration, 1st Beijing International Forum on Lunar and Deep-space Exploration, 2013, China
30. Jianhui Bo, Jinshun Bi, Xianjun Ma, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, and Haogang Cai, A compact model for the STI y-stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs, International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2012, China
31. Jinshun Bi, Jianhui Bo, and Zhengsheng Han, Extraction method for thermal resistance in deep submicron PDSOI MOSFETs, International Conference on Microelectronics and Nanotechnology, 2010, Netherlands
32. Jinshun Bi, and Chaohe Hai, The PDSOI accumulation-mode dynamic threshold pMOS with reversed schottky barrier, International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2007, China
国内会议论文：
1. 毕津顺，基于重离子微束技术的4M FLASH存储器单粒子效应研究，第二届全国辐射物理学术交流会，2016
2. 吴驰，毕津顺，韩郑生，罗家俊，0.13μm PDSOI工艺下单粒子瞬态脉冲宽度的产生和传播，第十二届全国辐射电子与电磁脉冲年会征文，2015
3. 毕津顺，贾少旭，韩郑生，罗家俊，后端互联工艺对于集成电路单粒子翻转效应的影响，第十二届全国辐射电子与电磁脉冲年会征文，2015
4. 赵星，毕津顺，郑中山，赵凯，于芳，罗家俊，韩郑生，0.2μm FDSOI NMOSFET的背栅效应及总剂量辐射响应，第十二届全国辐射电子与电磁脉冲年会征文，2015
5. 鲍进华，曾传滨，李博，高林春，刘海南，毕津顺，罗家俊，异步TSPC分频器的激光脉冲实验研究，第十二届全国辐射电子与电磁脉冲年会征文，2015
6. 张浩浩，毕津顺，刘明，磁随机存储器的辐照效应与加固技术研究进展，第七届中国科学院博士后学术年会, 2015
7. 毕津顺，罗家俊，韩郑生，“脉冲激光模拟单粒子效应系统与实验方法进展综述”，中国核学会物理分会2014年学术交流会，2014
8. 高林春，杨娜，曾传滨，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生，正面入射单光子吸收激光脉冲单粒子效应测试影响因素研究，中国核学会物理分会2014年学术交流会，2014
9. 贾少旭，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生， Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究，中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集，2013
10. 宿晓慧，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生，空间辐射单粒子瞬态脉冲宽度测量电路研究中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集，2013
11. 毕津顺，曾传滨，刘刚，罗家俊，韩郑生，面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究，中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会，2011
12. 毕津顺，范紫菡，曾传滨，罗家俊，韩郑生，PDSOI 单粒子翻转SPICE模型研究，第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议，2011
13. 田建，毕津顺，罗家俊，韩郑生，薄栅氧机理损伤研，第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议，2011
14. 卜建辉，毕津顺，吕荫学，罗家俊，韩郑生，深亚微米PDSOI nMOSFETs 热载流子寿命研究，第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议，2011
15. 曾传滨，毕津顺，姜一波，罗家俊，韩郑生，PDSOI ESD防护用SCR结构研究，第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议，2011
16. 卜建辉，毕津顺，刘梦新，罗家俊，韩郑生，SOI器件总剂量辐射模型研究，第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会，2011
17. 毕津顺，海潮和，抗辐照加固SOI SRAM研究，第七届全国SOI技术研讨会，2007
18. 毕津顺，海潮和，基于PDSOI DTMOS低压低功耗镜像全加器研究，第六届全国SOI技术研讨会，2005
专利申请：
已授权专利
1. 专利名称：一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法；申请号：CN201410031166.X；授权日期：2016.07.06；发明人：李书振，卜建辉，毕津顺，曾传滨，罗家俊，韩郑生
2. 专利名称：Test equipment and test method for SOI MOS component flashing noise；申请号：CN:201410031166:A；授权日期：2016.07.06；发明人：李书振，卜建辉，毕津顺，曾传滨，罗家俊，韩郑生
3. 专利名称：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路；申请号：CN201310438775.2；授权日期：2016.01.27；发明人：宿晓慧，毕津顺，罗家俊，韩郑生，郝乐
4. 专利名称：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路；申请号：CN201310439034.6；授权日期：2016.03.02；发明人：宿晓慧，毕津顺，罗家俊，韩郑生，郝乐
5. 专利名称：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路；申请号：CN201310438818.7；授权日期：2016.03.02；发明人：宿晓慧，毕津顺，罗家俊，韩郑生，郝乐
6. 专利名称：一种SOI_MOSFET的热阻提取方法；申请号：CN201310339890.4；授权日期：2016.03.23；发明人：卜建辉，李莹，毕津顺，李书振，罗家俊，韩郑生
7. 专利名称：SOI H型栅MOS器件的建模方法；申请号：CN201210536882.4；授权日期：2015.05.27；发明人：卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生
8. 专利名称：SOI MOS器件的建模方法；申请号：CN201210248270.5；授权日期：2014.10.15；发明人：卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生
9. 专利名称：一种PN结结深测算方法；申请号：CN201210212571.2；授权日期：2014.07.02；发明人：卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生
10. 专利名称：MOS器件的建模方法；申请号：CN201210212516.3；授权日期：2014.11.26；发明人：卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生
11. 专利名称：SOI MOS晶体管；申请号：CN201210154443.7；授权日期：2014.12.17；发明人：李莹，毕津顺，罗家俊，韩郑生
12. 专利名称：MOS器件的建模方法；申请号：CN201210123082.X；授权日期：2015.02.18；发明人：卜建辉，毕津顺，梅博，罗家俊，韩郑生
13. 专利名称：单粒子脉冲宽度测量电路；申请号：CN201210080931.8；授权日期：2014.08.20；发明人：宿晓慧，毕津顺，罗家俊
14. 专利名称：一种激光单粒子效应模拟系统；申请号：CN201110459433.X；授权日期：2014.01.29；发明人：曾传滨，高林春，毕津顺，罗家俊，韩郑生
15. 专利名称：抗辐照加固的SOI结构及其制作方法；申请号：CN201110418323.9；授权日期：2015.02.18；发明人：吕荫学，毕津顺，罗家俊，韩郑生，叶甜春
16. 专利名称：一种改进SOI结构抗辐照性能的方法；申请号：CN201110418276.8；授权日期：2015.06.24；发明人：吕荫学，毕津顺，罗家俊，韩郑生，叶甜春
17. 专利名称：一种维持电压可调节的可控硅结构；申请号：CN201110332265.8；授权日期：2013.04.24；发明人：曾传滨，毕津顺，李多力，罗家俊，韩郑生
18. 专利名称：静电放电保护用可控硅结构；申请号：CN201120417128.X；授权日期：2012.08.15；发明人：曾传滨，毕津顺，李多力，罗家俊，韩郑生
19. 专利名称：单粒子脉冲宽度测量电路；申请号：CN201110319780.2；授权日期：2015.08.05；发明人：宿晓慧，毕津顺
20. 专利名称：温控可充气真空辐射设备；申请号：CN201110252532.0；授权日期：2015.07.08；发明人：曾传滨，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生
21. 专利名称：存储单元测试电路及其测试方法；申请号：CN201110208077.4；授权日期：2015.06.03；发明人：王一奇，韩郑生，赵发展，刘梦新，毕津顺
22. 专利名称：一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法；申请号：CN201110183539.1；授权日期：2014.10.15；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊
23. 专利名称：MOS器件版图批量化设计方法；申请号：CN201110160075.2；授权日期：2015.12.02；发明人：李莹，毕津顺
24. 专利名称：单粒子瞬态脉冲宽度测量电路；申请号：CN201110152231.0；授权日期：2014.12.03；发明人：宿晓慧，毕津顺
25. 专利名称：一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构；申请号：CN201110007880.1；授权日期：2014.10.22；发明人：刘梦新，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生
26. 专利名称：一种SOINMOS总剂量辐照建模方法；申请号：CN201010251985.7；授权日期：2014.04.02；发明人：卜建辉，毕津顺，韩郑生
27. 专利名称：一种SOI体电阻建模方法；申请号：CN201010217274.8；授权日期：2014.05.14；发明人：卜建辉，毕津顺，韩郑生
28. 专利名称：一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法；申请号：CN201010157559.7；授权日期：2013.08.07；发明人：卜建辉，毕津顺，习林茂，韩郑生
29. 专利名称：一种CMOS集成电路抗辐照加固电路；申请号：CN200910244519.3；授权日期：2012.10.03；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊
30. 专利名称：一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路；申请号：CN200910244523.X；授权日期：2012.10.17；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊
31. 专利名称：基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法；申请号：CN200910236718.X；授权日期：2012.11.21；发明人：刘梦新，陈蕾，毕津顺，刘刚，韩郑生
32. 专利名称：晶体管测试装置及方法；申请号：CN200910308495.3；授权日期：2012.08.01；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊
33. 专利名称：一种绝缘体上硅器件及其制备方法；申请号：CN200910305117.X；授权日期：2011.04.06；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊
34. 专利名称：一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法；申请号：CN200910089598.5；授权日期：2012.10.03；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊
35. 专利名称：一种制作部分耗尽SOI器件接触结构的方法；申请号：CN200810116043.0；授权日期：2012.03.21；发明人：宋文斌，毕津顺，韩郑生
36. 专利名称：具有H型栅的射频SOI LDMOS器件；申请号：CN200810057936.2；授权日期：2010.07.28；发明人：刘梦新，毕津顺，范雪梅，赵超荣，韩郑生，刘刚
37. 专利名称：具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件；申请号：CN200810057921.6；授权日期：2010.11.03；发明人：刘梦新，毕津顺，范雪梅，赵超荣，韩郑生，刘刚
38. 专利名称：一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法；申请号：CN200610112701.X；授权日期：2009.04.22；发明人：毕津顺，海潮和
已申请专利（不含上述授权专利）
39. 专利名称：一种直流-交流逆变器的控制方法；申请号：CN201510355880.9；申请日期：2015.06.24；发明人：解冰清，李博，毕津顺，罗家俊，卜建辉；
40. 专利名称：降压直流-直流转换器的控制方法；申请号：CN201410663373.7；申请日期：2014.11.19；发明人：李博，毕津顺，刘海南，韩郑生，罗家俊，刘刚；
41. 专利名称：用于开关电源数字控制器的数字脉冲宽度调制装置；申请号：CN201410665987.9；申请日期：2014.11.19；发明人：李博，毕津顺，刘海南，韩郑生，罗家俊，刘刚
42. 专利名称：一种单粒子瞬态脉冲信号幅度测量电路；申请号：CN201410209130.6；申请日期：2014.05.16；发明人：宿晓慧，罗家俊，郝乐，毕津顺，李欣欣，赵海涛
43. 专利名称：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路；申请号：CN201310449608.8；申请日期：2013.09.24；发明人：宿晓慧;毕津顺，罗家俊，韩郑生，郝乐
44. 专利名称：NMOS和PMOS器件结构及设计方法；申请号：CN201310098874.0；申请日期：2013.03.26；发明人：卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生
45. 专利名称：SOI MOS晶体管；申请号：CN201210155387.9；申请日期：2012.05.18；发明人：李莹;毕津顺，罗家俊，韩郑生
46. 专利名称：SOI MOS晶体管；申请号：CN201210155009.0；申请日期：2012.05.17；发明人：李莹;毕津顺，罗家俊，韩郑生
47. 专利名称：一种半导体结构的制造方法；申请号：CN201210118939.9；申请日期：2012.04.20；发明人：毕津顺，罗家俊，韩郑生
48. 专利名称：单粒子瞬态电流脉冲检测方法；申请号：CN201110457845.X；申请日期：2011.12.30；发明人：梅博，毕津顺，韩郑生，罗家俊
49. 专利名称：单粒子瞬态电流脉冲检测系统；申请号：CN201110457712.2；申请日期：2011.12.30；发明人：梅博，毕津顺，韩郑生，罗家俊
50. 专利名称：一种MOS晶体管电容；申请号：CN201110309971.0；申请日期：2011.10.13；发明人：王一奇，韩郑生，赵发展，刘梦新，毕津顺
51. 专利名称：场效应晶体管及其制备方法；申请号：CN201110285830.X；申请日期：2011.09.23；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊
52. 专利名称：一种模拟脉冲电流的方法以及装置；申请号：CN201110243696.7；申请日期：2011.08.24；发明人：李莹，毕津顺，罗家俊，韩郑生
53. 专利名称：一种电路辐照性能仿真方法及设备；申请号：CN201110226452.8；申请日期：2011.08.09；发明人：卜建辉，毕津顺，韩郑生，罗家俊
54. 专利名称：一种调节SOI-NMOS器件背栅阈值电压的方法；申请号：CN201110209296.4；申请日期：2011.07.25；发明人：梅博，毕津顺，韩郑生
55. 专利名称：一种提高SOI-PMOS器件背栅阈值电压的方法；申请号：CN201110209346.9；申请日期：2011.07.25；发明人：梅博，毕津顺，韩郑生
56. 专利名称：一种绝缘体上硅场效应晶体管热阻提取方法；申请号：CN201110187366.0；申请日期：2011.07.05；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生，罗家俊
57. 专利名称：对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路；申请号：CN201010566061.6；申请日期：2010.11.29；发明人：范紫菡，毕津顺，罗家俊
58. 专利名称：一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法；申请号：CN201010145101.X；申请日期：2010.04.09；发明人：卜建辉，毕津顺，韩郑生
59. 专利名称：一种对半导体器件进行提参建模的方法；申请号：CN201010145308.7；申请日期：2010.04.09；发明人：卜建辉，毕津顺，韩郑生
60. 专利名称：用于表征硅与二氧化硅界面特性的光学系统及方法；申请号：CN200810224907.0；申请日期：2008.10.24；发明人：毕津顺，海潮和，韩郑生
61. 专利名称：双栅全耗尽SOI CMOS 器件及其制备方法；申请号：CN200710063371.4；申请日期：2007.01.10；发明人：海潮和，毕津顺，孙海峰，韩郑生，赵立新
62. 专利名称：一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制备方法；申请号：CN200610113722.3；申请日期：2006.10.13；发明人：毕津顺，海潮和
63. 专利名称：一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法；申请号：CN200610104117.X；申请日期：2006.07.31；发明人：毕津顺，吴俊峰，海潮和，韩郑生
64. 专利名称：栅体通过反偏肖特基结连接SOI动态阈值晶体管的方法；申请号：CN200610083997.7；申请日期：2006.06.16
获奖及荣誉：2007年度中国科学院院长奖学金优秀奖
