Henry H. Radamson

中国科学院微电子研究所

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  • Henry H. Radamson
  • 研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

2001年至今瑞典皇家理工学院半导体材料研究员

1990.01-1996.04瑞典林雪平大学材料物理学博士

1985.09-1989.08瑞典林雪平大学物理学硕士

2001.01-2015.01斯德哥尔摩大学教育学与国际教育学士

工作简历

2017年中国政府授予特聘外籍专家称号

2016.09至今中国科学院微电子研究所研究员

1997.04-2016.09瑞典皇家理工学院研究员

创业经验

斯德哥尔摩Nocilis Materials公司联合创始人,网址www.nocilis materials.com

社会任职:

Springer-Nature期刊: Materials in Electronics 编辑

欧洲材料研究会(E-MRS)分会主席

Solid State Electronics 2010 (publication of ISTDM2010) 客座编辑

Material Science and Engineering B, EMRS2011客座编辑

Solid Thin Films, EMRS2015 客座编辑

研究方向:纳米电子学、纳米光子学、热电材料和红外传感器 承担科研项目情况:

- Project manager in EU project Coordination on defect relevant engineering advanced silicon-based devices (2004-2008) 缺陷相关工程先进硅基器件欧盟合作项目经理(2004-2008年)

- Project leader in three Semiconductor Research Corporation (SRC) with Texas Instruments and IBM in Dallas, USA (2005-2016). 与美国德州仪器公司以及美国达拉斯IMB合作的三家半导体研究公司(SRC)的项目负责人(2005-2016年)

- Project leader in SiGe bolometers in Consortium: Acreo's centre of excellence IMAGIC, Seven Swedish industries in partnership SiGe辐射计合作项目负责人:IMAGIC卓越中心,7家瑞典公司合作伙伴

工业项目的经验:

1..Ericsson Components (SiGe Bipolar transistors for telecommunication application, 1997-2001), 爱立信备件公司(电信用的SiGe双极晶体管项目(1997-2001年)

2. IMAGICExcellence, Acreo (IR imaging) involving companies e.g. Autoliv, Saab, Flir, ..etc, Acreo IMAGIC卓越中心(红外成像),合作的公司有Autoliv, Saab, Flir等

3.Texas Instruments, Dallas USA, PI in three SRC projects (SiGe growth modeling for BiCMOS, 2005-2016). 美国达拉斯德州仪器公司,三家SRC公司项目的PI(Bicmos的SiGe生长模型,2005-2016年)

代表论著:

目前在国际期刊发表SCI论文230余篇,其中包括2本科学专著,3篇评论文章和7本书籍章节

科学专著: Monolithic Nanoscale Photonics-Electronics Integration in Silicon and Other Group IV Elements, Elsevier, 2014, ISBN 9780124199750.

科学专著: CMOS past present and future, publisher: Elsevier, 2018.

专利申请: 获奖及荣誉:

2008年和2010年瑞典国家创新局“创新基金”

2009年冰岛欧洲暑期课程“最佳教师奖”

2010年瑞典创新和商业领域“十大创新者创业杯”

2019年瑞典斯德哥尔摩“创新质量奖”

2019年微电子研究所“最受欢迎教师奖”