- Henry H. Radamson
- 研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2001年至今瑞典皇家理工学院半导体材料研究员
1990.01-1996.04瑞典林雪平大学材料物理学博士
1985.09-1989.08瑞典林雪平大学物理学硕士
2001.01-2015.01斯德哥尔摩大学教育学与国际教育学士
工作简历
2017年中国政府授予特聘外籍专家称号
2016.09至今中国科学院微电子研究所研究员
1997.04-2016.09瑞典皇家理工学院研究员
创业经验
斯德哥尔摩Nocilis Materials公司联合创始人，网址www.nocilis materials.com
社会任职：
Springer-Nature期刊: Materials in Electronics 编辑
欧洲材料研究会（E-MRS）分会主席
Solid State Electronics 2010 (publication of ISTDM2010) 客座编辑
Material Science and Engineering B, EMRS2011客座编辑
Solid Thin Films, EMRS2015 客座编辑
研究方向：纳米电子学、纳米光子学、热电材料和红外传感器 承担科研项目情况：
- Project manager in EU project Coordination on defect relevant engineering advanced silicon-based devices (2004-2008) 缺陷相关工程先进硅基器件欧盟合作项目经理（2004-2008年）
- Project leader in three Semiconductor Research Corporation (SRC) with Texas Instruments and IBM in Dallas, USA (2005-2016). 与美国德州仪器公司以及美国达拉斯IMB合作的三家半导体研究公司(SRC)的项目负责人(2005-2016年)
- Project leader in SiGe bolometers in Consortium: Acreo's centre of excellence IMAGIC, Seven Swedish industries in partnership SiGe辐射计合作项目负责人：IMAGIC卓越中心，7家瑞典公司合作伙伴
工业项目的经验:
1..Ericsson Components (SiGe Bipolar transistors for telecommunication application, 1997-2001), 爱立信备件公司（电信用的SiGe双极晶体管项目（1997-2001年)
2. IMAGICExcellence, Acreo (IR imaging) involving companies e.g. Autoliv, Saab, Flir, ..etc, Acreo IMAGIC卓越中心（红外成像），合作的公司有Autoliv, Saab, Flir等
3.Texas Instruments, Dallas USA, PI in three SRC projects (SiGe growth modeling for BiCMOS, 2005-2016). 美国达拉斯德州仪器公司，三家SRC公司项目的PI（Bicmos的SiGe生长模型，2005-2016年）
代表论著：
目前在国际期刊发表SCI论文230余篇，其中包括2本科学专著，3篇评论文章和7本书籍章节
科学专著: Monolithic Nanoscale Photonics-Electronics Integration in Silicon and Other Group IV Elements, Elsevier, 2014, ISBN 9780124199750.
科学专著: CMOS past present and future, publisher: Elsevier, 2018.
专利申请： 获奖及荣誉：
2008年和2010年瑞典国家创新局“创新基金”
2009年冰岛欧洲暑期课程“最佳教师奖”
2010年瑞典创新和商业领域“十大创新者创业杯”
2019年瑞典斯德哥尔摩“创新质量奖”
2019年微电子研究所“最受欢迎教师奖”
