贾昆鹏

中国科学院微电子研究所

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  • 贾昆鹏
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景 2006年9月-2010年6月,本科,河北工业大学,应用物理学 2010年9月-2013年6月,硕士,中国科学院微电子研究所,集成电路工程 2013年8月-2016年6月,博士,中国科学院微电子研究所,微电子学与固体电子学 工作简历 2016年7月-2019年4月,中国科学院微电子研究所,助理研究员 2019年4月-至今,中国科学院微电子研究所,副研究员

社会任职: 研究方向:

二维材料电子器件、硅基传感器与应用

承担科研项目情况:

1. 晶圆级石墨烯电子材料及器件研究(国家科技重大专项,2011.09-2017.04,技术骨干) 2. 用于低压数字电路的Si-Ge基纳米开关(国家自然科学基金,2013.10-2015.03,技术骨干) 3. 通过RPCVD于硅上直接生长石墨烯的研究(国家自然科学基金,2014.10-2016.07,技术骨干) 4. 半导体二维原子晶体材料的制备与器件特性(国家重点研发计划,2017.06-,技术骨干)

代表论著:

1. K.P. Jia, Y.J. Su, Y. Chen, J. Yang, P. Lv, Z.H. Zhang, H.L. Zhu, Ch. Zhao, T.Ch. Ye. “Effects of defects and thermal treatment on the properties of graphene”, Vacuum, Volume 116, Pages 90-95

2. K.P. Jia, J. Luo, R.Y. Hu, J. Zhan, H.S. Cao, Y.J. Su, H.L. Zhu, L. Xie, Ch. Zhao, D.P. Chen, T.Ch. Ye. “Evaluation of PMMA residues as a function of baking temperature and a novel graphene heat-free-transfer process to reduce them”, ECS JSS&T 5(3) P138-141

3. K.P. Jia, Y.J. Su*, J. Zhan, K. Shahzad, H.L. Zhu, C. Zhao, J. Luo*. “Enhanced End-Contacts by Helium Ion Bombardment to Improve Graphene-Metal Contacts”, nanomaterials, 6, 158

4. K.P. Jia, J. Yang, Y.J. Su, P.F. Nie, J. Zhong, Q.Q. Liang, H.L. Zhu. “Stability analysis of a back-gate graphene transistor in air environment”, Journal of Semiconductors, Volume 34, No.8

5. G.X. Wan, H.L. Zhu*, X. Wei, X.G. Yin, K.P Jia*. “Influence of Dopants Profile on Random Dopant Fluctuation and Optimization for Bulk FinFET”, ECS JSS&T 6(7) M79-M82

6. X.Y. Yan, K.P. Jia*, Y.J. Ma, J. Luo, Y.Y. Wei, Y.J. Su*.“Edge-contact formed by oxygen plasma and rapid thermal annealing to improve metal-graphene contact resistance” ECS JSS&T 7(2)M11-M15

7. Z.J. Zhao, K.P. Jia, J.C. Shaw, Z.W. Zhu, W. Wan, L.J. Zhan, M.P. Li, H.S. Wang, X.P. Chen, Z.C. Li, S.S. Chen, Y.H. Zhou, R. B. Kaner*, W.W. Cai*. “Synthesis of sub-millimeter Bi-/multi-layer graphene by designing a sandwiched structure using copper foils” Applied Physics Letter 109,123107

8. Y. Pan, K.P. Jia, K.L. Huang, Z.H. Wu, G.B. Bai, J.H. Yu, Z.Z. Hou, Q.Z. Zhang, H.X. Yin*, “Near-ideal subthreshold swing MoS2 back-gate transistors with optimized ultrathin HfO2 dielectric layer”, Nanotechnology

9. J. Yang, K.P. Jia, Y.J. Su, Y. Chen, Ch. Zhao. “Hysteresis analysis of graphene transistor under repeated test and gate voltage stress”, Journal of Semiconductors, Volume 35, No.9

10. G.L. Wang, J. Luo, C.L. Qin, H.S. Cui, J.B. Liu, K.P. Jia, J.J. Li, T. Yang, J.F. Li, H.X. Yin, C. Zhao, T.C. Ye, P. Yang, G. Jayakumar, H. H. Radamson. “Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs” ECS Transactions, 75(8) 273-279

11. Z.Y. Zhu, H.L. Zhu, S.M. Wang, Y.B. Liu, X.G. Yin, K.P. Jia, C. Zhao. “Negative-Capacitance Characteristics in a Steady-State Ferroelectric Capacitor Made of Parallel Domains”. IEEE Electron Device Letter PP(99):1-1

12. K. Luo, Z.Z. Hou, J.X. Yao, K.P. Jia, W. Yang, Z.H. Wu, H.X. Yin, W.G. Wang, “A first principle study of the carrier mobility and injection velocity for strained 2D material-based MOSFETs” IEEE S3S Conference

13. Y. Pan, H.X. Yin, K.L. Huang, Z.H. Zhang, Q.Z. Zhang, K.P. Jia, Z.H. Wu, K. Luo, J.H. Yu, J.F. Li, W.G. Wang, T.C. Ye., “Novel 10 nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate”, IEEE Journal of the Electron Devices Society 7(1):483-488

14. W.X. Huang, H.L. Zhu, K.P. Jia, X.G. Yin, C. Li, Y.K. Zhang, J.J. Xiang, Z.H. Wu, L.R. Gan, “Simulations of VNW-FETs with Adjustable Spacer-Like Negative Capacitors Based on Experimental Data”, ECS Journal of Solid State Science and Technology 8(2):Q38-Q42

15. 胡荣炎, 贾昆鹏, 陈阳, 战俊, 粟雅娟, “石墨烯掺杂研究进展”, 微纳电子技术, Vol.52 No.11

16. 战俊, 粟雅娟, 罗军, 贾昆鹏, 段宁远, 闫祥宇, “用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性”. 微纳电子技术, Vol.54 No.4

17. 战俊, 粟雅娟, 贾昆鹏, 罗军, 闫祥宇, “基于CVD单层MoS2 FET的光电探测器”. 微纳电子技术, Vol.54 No.7

18. 闫祥宇, 粟雅娟, 贾昆鹏, 李梅, 马源俊, 韦亚一. “石墨烯/金属接触研究进展”. 微纳电子技术, Vol.54 No.11

专利申请:

1. 发明人:贾昆鹏,粟雅娟,朱慧珑,赵超;专利名称:METHOD and arrangment for reducing contact resistance of two-dimensional cyrstal material(US10141408) 2. 发明人:贾昆鹏,朱慧珑;专利名称:半导体器件制造方法(CN201310031150.4) 3. 发明人:贾昆鹏,粟雅娟,朱慧珑,赵超;专利名称:降低二维晶体材料接触电阻的方法(CN201310254601.0) 4. 发明人:贾昆鹏,粟雅娟,朱慧珑,赵超;专利名称:石墨烯结构、石墨烯器件及其制造方法(CN201410012588.2) 5. 发明人:聂鹏飞,朱慧珑,粟雅娟,贾昆鹏,杨杰;专利名称:微纳尺度静电力开关及其制造方法(CN201310035425.1) 6. 发明人:贾昆鹏,朱慧珑;专利名称:半导体器件制造方法(201310031147.2) 7. 发明人:朱慧珑,朱正勇,贾昆鹏;专利名称:具有背栅负电容的半导体器件及其制造方法(201611189669.5) 8. 发明人:粟雅娟,贾昆鹏,赵超,战俊,曹合适;专利名称:二维材料结构的制造方法和二维材料器件(201610140337.1) 9. 发明人:粟雅娟,曹合适,贾昆鹏;战俊;专利名称:一种微纳机电开关及其制造方法(201610809521.0) 10. 发明人:粟雅娟,贾昆鹏,赵超,战俊,曹合适;专利名称:METHOD FOR MANUFACTUREING TWO-DIMENSIONAL MATERIAL STRUCTURE AND TWO-DIMENSIONAL MATERIAL DEVICE(US15/261,068) 11. 发明人:聂鹏飞,粟雅娟,朱慧珑,赵超,贾昆鹏,杨杰;专利名称:互连结构及其制造方法(201310017093.4) 12. 发明人:贾昆鹏,粟雅娟,聂鹏飞;专利名称:石墨烯测序器件及其制造方法(201210421626.0)

获奖及荣誉: