李彬鸿

中国科学院微电子研究所

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  • 李彬鸿
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

2008年9月 – 2011年12月: 法国应用科学集团图卢兹学院 (INSA-Toulouse)微纳电子学专业,博士研究生。

2005年9月 – 2008年7月: 法国格勒诺布尔大学集成电路设计专业,硕士研究生。

2001年9月 – 2005年7月: 上海复旦大学微电子系,本科。

工作简历

2012.5 – 至今 中国科学院微电子研究所,历任助理研究员,副研究员。

社会任职: 研究方向:集成电路工艺及器件的可靠性,半导体器件和集成电路的电磁兼容性分析,半导体器件和集成电路的辐照效应。 承担科研项目情况:

1. 国家自然基金青年基金项目,《累积损伤对SOI工艺集成电路电磁兼容性的影响》,2015-2017年,项目负责人

2. 国防重点实验室开放基金,2016-2017,项目负责人

3. 科技部留学人员回国资助基金《SOI工艺器件的热载流子损伤》,2015-2016,项目负责人

4. 国家预研基金,《电子系统电磁辐射抑制》,项目负责人

代表论著:

1.B. Li, A. Boyer, S. Ben Dhia, C. Lemoine, “Ageing effect on electromagnetic susceptibility of a phase locked loop”, Microelectronic Reliability, Vol. 50, Issues 9-11, September – November 2010, pp. 1304-1308.

2.B. Li, N. Berbel, A. Boyer, S. Ben Dhia, R. Fernández Garcíab, “Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences” , Microelectronic Reliability.Vol. 51, Issues 9-11, pp. 1557-1560. September 2011.

3.A. Boyer, S. Ben Dhia, B. Li, N. Berbel, R. Fernández Garcíab, “Experimental Investigations on electrical Stress Impact on Integrated Circuit Electromagnetic Compatibility” IEEE Transaction on Electromagnetic Compatibility,Vol. PP, No. 99,February 2013.

4.B. Li, K. Zhao, J. Wu, X. Zhao, J. Su, J. Gao, C. Gao, J. Luo, “Electromagnetic susceptibility characterization of double SOI device”, Microelectronics Reliability, Volume 64, September 2016, Pages 168–171.

5.J. Wu, C. Li, B. Li*, W. Zhu, H. Wang, “Microcontroller susceptibility variations to EFT burst during accelerated aging” Microelectronics Reliability, Volume 64, September 2016, Pages 210–214.

专利申请:

一种热阻获取方法,201610632860.6,卜建辉,李彬鸿,罗家俊,韩郑生,2016

获奖及荣誉:2013年度中国科学院微电子所科研新星一等奖