- 卜建辉
- 硅器件中心模型部部长
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2002-2006 西安交通大学 电子系 本科
2006-2011 中国科学院微电子所 博士
工作简历
2011-2016 中国科学院微电子所 助理研究员
2016-至今 中国科学院微电子所 副研究员
社会任职： 研究方向：半导体器件模型及参数提取，半导体器件物理，半导体器件可靠性 承担科研项目情况：
作为技术骨干参与若干国家重大专项
代表论著：
第一作者发表论文10余篇
(1) Bu, Jianhui ，Bi, Jinshun，Liu, Mengxin，Han, Zhengsheng ，A total dose radiation model for deep submicron PDSOINMOS，Chinese Journal of Semiconductors，2011，32（1）：014002-1-014002-3。
(2) Jianhui, Bu ，Jinshun, Bi，Linmao, Xi，Zhengsheng, Han ，Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction，Chinese Journal of Semiconductors，2010，31（9）：094001-1-094001-3。
(3) 卜建辉，毕津顺，宋李梅，韩郑生，深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应，微电子学，2010，40（3）：461-463。
(4) 卜建辉，刘梦新，胡爱斌，韩郑生，部分耗尽SOINMOSFET总剂量辐照的最坏偏置，半导体技术，2009，34（1）：65-68。
(5) 卜建辉，刘梦新，胡爱斌，韩郑生，SOI器件的增强短沟道效应模型，半导体技术，2009，34（6）：560-562。
(6) 卜建辉，毕津顺，宋李梅，韩郑生，深亚微米抗辐照PDSOInMOSFET的热载流子效应，微电子学，2010，（03）：461-463。
(7) 卜建辉，刘梦新，胡爱斌，韩郑生，SOI器件的增强短沟道效应模型，半导体技术，2009，（06）：560-562。
(8) 卜建辉，刘梦新，胡爱斌，韩郑生，部分耗尽SOINMOSFET总剂量辐照的最坏偏置(英文)，半导体技术，2009，（01）：65-68。
(9) Bu, Jianhui ，Li, Shuzhen，Luo, Jiajun，Han, Zhengsheng，The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs，Chinese Journal of Semiconductors，2014，35（3）：034008-1-034008-3。
(10) Bu, Jianhui ，Bi, Jinshun，Song, Limei，Han, Zhengsheng ，Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs，Chinese Journal of Semiconductors，2010，31（1）：014002-1-014002-3。
(11) 卜建辉，毕津顺，吕荫学，韩郑生，深亚微米PDSOInMOSFETs热载流子寿命研究，第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议，2011.11。
(12) Bu, Jianhui ，Li, Ying，Luo, Jiajun，Han, Zhengsheng，A simulation model for PDSOI MOSFETs，2014 12th IEEE International Conference on Solid-Stateand Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014，2014.10.28-2014.10.31。
(13) Bu, Jianhui ，Bi, Jinshun，Ma, Xianjun，Luo, Jiajun，Han,Zhengsheng，Cai, Haogang，A compact model for the STI y-stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs，2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2012，2012.10.29-2012.11.1
(14) Bu Jianhui ，Li ying，Luo Jiajun，Han Zhengsheng ，A Simulation Modelfor the PN Junction Based on SOI，2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2016，，2016.10.25-2016.10.28
专利申请：
第一发明人申请专利30余项，已授权12项
(1) 卜建辉，曾传滨，张刚，罗家俊，韩郑生，一种环形振荡器测试系统，2014.7.2，中国，CN201320833795.5
(2) 卜建辉，李莹，毕津顺，李书振，罗家俊，韩郑生，一种SOI_MOSFET的热阻提取方法，2015.12.15，中国，CN201310339890.4
(3) 卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生，SOI H型栅MOS器件的建模方法，2015.5.27，中国，CN201210536882.4
(4) 卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生，SOI MOS器件的建模方法，2014.10.15，中国，CN201210248270.5
(5) 卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生，一种PN结结深测算方法，2014.7.2，中国，CN201210212571.2
(6) 卜建辉，毕津顺，罗家俊，韩郑生，MOS器件的建模方法，2014.11.26，中国，CN201210212516.3
(7) 卜建辉，毕津顺，梅博，罗家俊，韩郑生，MOS器件的建模方法，2015.2.18国，CN201210123082.X
(8) 卜建辉，毕津顺，韩郑生，一种SOINMOS总剂量辐照建模方法，2014.4.2，中国，CN201010251985.7
(9) 卜建辉，毕津顺，韩郑生，一种SOI体电阻建模方法，2014.5.14，中国，CN201010217274.8
(10) 卜建辉，毕津顺，习林茂，韩郑生，一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，2013.8.7，中国，CN201010157559.7
(11) 卜建辉，罗家俊，韩郑生，一种BTS型栅SOI器件的建模方法，2017.01.04，中国，CN201410167764.X
(12) 卜建辉，罗家俊，韩郑生，一种H型栅SOI器件的建模方法，2017.01.18，中国，CN201410163198.5
获奖及荣誉：
2011年 中国科学院研究生院 优秀毕业生
