卜建辉

中国科学院微电子研究所

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  • 卜建辉
  • 硅器件中心模型部部长
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:

教育背景

2002-2006 西安交通大学 电子系 本科

2006-2011 中国科学院微电子所 博士

工作简历

2011-2016 中国科学院微电子所 助理研究员

2016-至今 中国科学院微电子所 副研究员

社会任职: 研究方向:半导体器件模型及参数提取,半导体器件物理,半导体器件可靠性 承担科研项目情况:

作为技术骨干参与若干国家重大专项

代表论著:

第一作者发表论文10余篇

(1) Bu, Jianhui ,Bi, Jinshun,Liu, Mengxin,Han, Zhengsheng ,A total dose radiation model for deep submicron PDSOINMOS,Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(1):014002-1-014002-3。

(2) Jianhui, Bu ,Jinshun, Bi,Linmao, Xi,Zhengsheng, Han ,Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction,Chinese Journal of Semiconductors,2010,31(9):094001-1-094001-3。

(3) 卜建辉,毕津顺,宋李梅,韩郑生,深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应,微电子学,2010,40(3):461-463。

(4) 卜建辉,刘梦新,胡爱斌,韩郑生,部分耗尽SOINMOSFET总剂量辐照的最坏偏置,半导体技术,2009,34(1):65-68。

(5) 卜建辉,刘梦新,胡爱斌,韩郑生,SOI器件的增强短沟道效应模型,半导体技术,2009,34(6):560-562。

(6) 卜建辉,毕津顺,宋李梅,韩郑生,深亚微米抗辐照PDSOInMOSFET的热载流子效应,微电子学,2010,(03):461-463。

(7) 卜建辉,刘梦新,胡爱斌,韩郑生,SOI器件的增强短沟道效应模型,半导体技术,2009,(06):560-562。

(8) 卜建辉,刘梦新,胡爱斌,韩郑生,部分耗尽SOINMOSFET总剂量辐照的最坏偏置(英文),半导体技术,2009,(01):65-68。

(9) Bu, Jianhui ,Li, Shuzhen,Luo, Jiajun,Han, Zhengsheng,The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs,Chinese Journal of Semiconductors,2014,35(3):034008-1-034008-3。

(10) Bu, Jianhui ,Bi, Jinshun,Song, Limei,Han, Zhengsheng ,Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs,Chinese Journal of Semiconductors,2010,31(1):014002-1-014002-3。

(11) 卜建辉,毕津顺,吕荫学,韩郑生,深亚微米PDSOInMOSFETs热载流子寿命研究,第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议,2011.11。

(12) Bu, Jianhui ,Li, Ying,Luo, Jiajun,Han, Zhengsheng,A simulation model for PDSOI MOSFETs,2014 12th IEEE International Conference on Solid-Stateand Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014,2014.10.28-2014.10.31。

(13) Bu, Jianhui ,Bi, Jinshun,Ma, Xianjun,Luo, Jiajun,Han,Zhengsheng,Cai, Haogang,A compact model for the STI y-stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs,2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2012,2012.10.29-2012.11.1

(14) Bu Jianhui ,Li ying,Luo Jiajun,Han Zhengsheng ,A Simulation Modelfor the PN Junction Based on SOI,2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2016,,2016.10.25-2016.10.28

专利申请:

第一发明人申请专利30余项,已授权12项

(1) 卜建辉,曾传滨,张刚,罗家俊,韩郑生,一种环形振荡器测试系统,2014.7.2,中国,CN201320833795.5

(2) 卜建辉,李莹,毕津顺,李书振,罗家俊,韩郑生,一种SOI_MOSFET的热阻提取方法,2015.12.15,中国,CN201310339890.4

(3) 卜建辉,毕津顺,罗家俊,韩郑生,SOI H型栅MOS器件的建模方法,2015.5.27,中国,CN201210536882.4

(4) 卜建辉,毕津顺,罗家俊,韩郑生,SOI MOS器件的建模方法,2014.10.15,中国,CN201210248270.5

(5) 卜建辉,毕津顺,罗家俊,韩郑生,一种PN结结深测算方法,2014.7.2,中国,CN201210212571.2

(6) 卜建辉,毕津顺,罗家俊,韩郑生,MOS器件的建模方法,2014.11.26,中国,CN201210212516.3

(7) 卜建辉,毕津顺,梅博,罗家俊,韩郑生,MOS器件的建模方法,2015.2.18国,CN201210123082.X

(8) 卜建辉,毕津顺,韩郑生,一种SOINMOS总剂量辐照建模方法,2014.4.2,中国,CN201010251985.7

(9) 卜建辉,毕津顺,韩郑生,一种SOI体电阻建模方法,2014.5.14,中国,CN201010217274.8

(10) 卜建辉,毕津顺,习林茂,韩郑生,一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法,2013.8.7,中国,CN201010157559.7

(11) 卜建辉,罗家俊,韩郑生,一种BTS型栅SOI器件的建模方法,2017.01.04,中国,CN201410167764.X

(12) 卜建辉,罗家俊,韩郑生,一种H型栅SOI器件的建模方法,2017.01.18,中国,CN201410163198.5

获奖及荣誉:

2011年 中国科学院研究生院 优秀毕业生