- 戴风伟
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：教育背景
2004.9---2007.3，北京科技大学，材料学院，材料学专业，工学硕士
1998.9---2002.7，内蒙古工业大学，材料科学与工程学院，材料科学与技术专业，工学学士工作简历
2012.12-今，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司（双跨），研发部副部长
2009.08-今，中国科学院微电子研究所封装中心，副研究员
2007.04-2009.08，富士康科技集团清华-富士康纳米科技研究中心，材料研发工程师 社会任职：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司（双跨），研发部副部长 研究方向：2.5D/3D TSV 异构集成技术 承担科研项目情况：
承担国家02重大专项项目，包括“2.5D-TSV晶圆级互连技术（2013ZX02501001）”、“高密度三维集成先导技术研发（2014ZX02501003）”和“新型多种异质芯片SiP集成封装技术工艺开发（2017ZX02315005-004）”，作为课题负责人；
承担973计划项目，“微凸点均匀性生长的能量梯度影响规律与物质流能量流表征（2015CB057205）”的课题任务，作为技术负责人 代表论著：发表学术论文50余篇 专利申请：
中国专利，57项，授权35项
美国专利，25项，授权，7项 获奖及荣誉：
2017年，参与“基于TSV的2.5D/3D封装制造及系统集成技术”，获得中国电子学会科学技术奖二等奖
2018年，参与“以硅通孔为核心的三维系统集成技术及应用”，获得北京市科学技术奖二等奖
