戴风伟

中国科学院微电子研究所

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  • 戴风伟
  • 副研究员
  • 北京市朝阳区北土城西路3号

简 历:教育背景

2004.9---2007.3,北京科技大学,材料学院,材料学专业,工学硕士

1998.9---2002.7,内蒙古工业大学,材料科学与工程学院,材料科学与技术专业,工学学士工作简历

2012.12-今,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司(双跨),研发部副部长

2009.08-今,中国科学院微电子研究所封装中心,副研究员

2007.04-2009.08,富士康科技集团清华-富士康纳米科技研究中心,材料研发工程师 社会任职:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司(双跨),研发部副部长 研究方向:2.5D/3D TSV 异构集成技术 承担科研项目情况:

承担国家02重大专项项目,包括“2.5D-TSV晶圆级互连技术(2013ZX02501001)”、“高密度三维集成先导技术研发(2014ZX02501003)”和“新型多种异质芯片SiP集成封装技术工艺开发(2017ZX02315005-004)”,作为课题负责人;

承担973计划项目,“微凸点均匀性生长的能量梯度影响规律与物质流能量流表征(2015CB057205)”的课题任务,作为技术负责人 代表论著:发表学术论文50余篇 专利申请:

中国专利,57项,授权35项

美国专利,25项,授权,7项 获奖及荣誉:

2017年,参与“基于TSV的2.5D/3D封装制造及系统集成技术”,获得中国电子学会科学技术奖二等奖

2018年,参与“以硅通孔为核心的三维系统集成技术及应用”,获得北京市科学技术奖二等奖