- 丁武昌
- 副研究员
- 北京市朝阳区北土城西路3号
简 历：
教育背景
2000-2004，中国科学技术大学物理系，本科学历，学士学位
2004-2009，中国科学院半导体研究所，研究生学历，博士学位
工作简历
2009年-今，中国科学院微电子研究所
社会任职： 研究方向：InP基HBT、HEMT高频器件与电路研究：InP HBT高频器件工艺与集成电路工艺，HBT器件建模，InP HEMT高频低噪声器件建模等。 承担科研项目情况：
1.XP项目, “XXX InP基混频器MMIC”
2.国家重大科技专项，“高频段5G基站用功率放大器”
3.院方向项目，“InP XXX AD\DA技术研究”
代表论著：
1. Ding Peng, Chen Chen, Ding Wuchang, et al. “Ultra-thin 20 nm-PECVD-Si3N4 surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs and its impact on DC and RF performance”, SOLID-STATE ELECTRONICS, vol. 123, pp. 1-5, 2016;
2. Ding Wuchang, Jia Rui, Li Haofeng et al. “Design of two dimensional silicon nanowire arrays for antireflection and light trapping in silicon solar cells”, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Vol. 115, pp. 014307, 2014;
3. Ding Wuchang, Jia Rui, Wu Deqi, et al. “Numerical simulation and modeling of spectral conversion by silicon nanocrystals with multiple exciton generation”, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 109, pp.054312, 2011;
4. Ding Wuchang, Jia Rui, Cui Dongmeng, et al. “Light confinement for silicon solar cells with thin substrate”, 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pp.2633-2636, 2013;
5. Ding Wuchang, Wang Qiming, et al. “A comparison of silicon oxide and nitride as host matrices on the photoluminescence from Er3+ ions”, CHINESE PHYSICS B, vol.18, pp. 3044-3048;
6. 丁武昌，“光管理在晶体硅电池中的应用”，中国光学，vol.6, pp.717-728;
专利申请： 获奖及荣誉：
