紫外曝光机

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厂商及型号

SUSS/MA6

性能参数

曝光分辨率优于0.8微米;曝光波长:400纳米,350W汞灯;正面对准:精度小于0.5微米;背面对准:精度小于1微米。

服务功能

用于III-V族、II-VI族和硅锗及其氧化物、氮化物等压电材料和压电光电子材料微纳结构的制备。