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等离子体增强薄膜沉积系统

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厂商及型号

SENTECH Instruments Gmb//SI ALD

性能参数

温度控制根据不同设置室温 ~ +400oC （下卡盘；室温 ~ +150oC （反应腔壁）。热原子层沉积薄膜均匀性<1%(4"),<1.5%(8");等离子增强薄膜沉积薄膜均匀性<1.5(4"),<2.5%(8")

服务功能

等离子体增强原子层沉积系统能同时满足热原子层沉积和等离子增强原子层沉积系统，并配备在线厚度监测系统，能够制备高质量的氧化物、氮化物薄膜
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