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设备 / 行业专用仪器

高真空多功能化合物半导体快速沉积研究设备

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厂商及型号

沈阳聚智真空设备有限公司//JZ-2015-03-01

性能参数

1） 容纳样片尺寸：100×100 mm。传输腔压强<1×10-2 Pa。2） 快速退火样品最高温度可达700 oC。3） 超高真空室真空度<1×10-6Pa。

服务功能

主要利用近空间升华方法和磁控溅射方法沉积各种薄膜。目前沉积的薄膜材料主要包括：CdTe薄膜，CdS薄膜，AZO（ZnO：Al）薄膜，BLTO（BaSnO3:La）薄膜，金属薄膜等。
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