高真空多功能化合物半导体快速沉积研究设备

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厂商及型号

沈阳聚智真空设备有限公司//JZ-2015-03-01

性能参数

1) 容纳样片尺寸:100×100 mm。传输腔压强<1×10-2 Pa。2) 快速退火样品最高温度可达700 oC。3) 超高真空室真空度<1×10-6Pa。

服务功能

主要利用近空间升华方法和磁控溅射方法沉积各种薄膜。目前沉积的薄膜材料主要包括:CdTe薄膜,CdS薄膜,AZO(ZnO:Al)薄膜,BLTO(BaSnO3:La)薄膜,金属薄膜等。