磁控溅射镀膜仪(Acs-4000)

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厂商及型号

日本ULVAC公司ACS-4000-C4

性能参数

1、溅射薄膜均匀度:5%;2、Deposition Chamber压强:4.4×10-6Pa;3、Preparation chamber压强:6.7×10-4Pa;4、基片旋转:3-100rpm;5、基片加热温度:Maximum 500℃;6、四靶可以同时溅射;7、可进行氮化物与氧化物的反应溅射;8、基片最大尺寸为4

服务功能

磁控溅射仪配备有四个独立、可自动匹配的射频电源,可制备各种金属与非金属薄膜材料,并可实现多靶共溅射制备合金薄膜;配有氧气、氮气两路反应气体,可进行反应溅射制备氧化物和氮化物薄膜材料。