厂商及型号
日本ULVAC公司ACS-4000-C4
性能参数
1、溅射薄膜均匀度：5%；2、Deposition Chamber压强：4.4×10-6Pa；3、Preparation chamber压强：6.7×10-4Pa；4、基片旋转：3-100rpm；5、基片加热温度：Maximum 500℃；6、四靶可以同时溅射；7、可进行氮化物与氧化物的反应溅射；8、基片最大尺寸为4
服务功能
磁控溅射仪配备有四个独立、可自动匹配的射频电源，可制备各种金属与非金属薄膜材料，并可实现多靶共溅射制备合金薄膜；配有氧气、氮气两路反应气体，可进行反应溅射制备氧化物和氮化物薄膜材料。
