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金属高密度等离子体刻蚀机(ICPRIE-500)

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厂商及型号

德国SENTECH公司SENTECH PTSA ICP-RIE ETCHER SI 500

性能参数

金属及金属氧化物刻蚀：速率＞30nm/min；SiO2刻蚀：速率＞150nm/min；纳米硅刻蚀：速率＞200nm/min，深宽比10：1。

服务功能

金属、金属氧化物、介质层、有机聚合物及硅刻蚀。
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