金属高密度等离子体刻蚀机(ICPRIE-500)

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厂商及型号

德国SENTECH公司SENTECH PTSA ICP-RIE ETCHER SI 500

性能参数

金属及金属氧化物刻蚀:速率>30nm/min;SiO2刻蚀:速率>150nm/min;纳米硅刻蚀:速率>200nm/min,深宽比10:1。

服务功能

金属、金属氧化物、介质层、有机聚合物及硅刻蚀。