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硅刻蚀高密度等离子体刻蚀机(ICPRIE-180)

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厂商及型号

英国Oxford公司Plasmalab System100 ICP180

性能参数

深硅刻蚀：速率＞1.5um/min；深宽比10︰1；角度90±1°；纳米硅刻蚀：速率＞200nm/min；深宽比10︰1；角度90±1°

服务功能

纳米级、微米级尺寸的硅刻蚀。
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