硅刻蚀高密度等离子体刻蚀机(ICPRIE-180)

浏览次数

57

收藏次数

0

接洽次数

0

厂商及型号

英国Oxford公司Plasmalab System100 ICP180

性能参数

深硅刻蚀:速率>1.5um/min;深宽比10︰1;角度90±1°;纳米硅刻蚀:速率>200nm/min;深宽比10︰1;角度90±1°

服务功能

纳米级、微米级尺寸的硅刻蚀。